[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括层叠的金层及三氧化铼层，其中，所述金层及三氧化铼层为纳米线结构，所述金层的纳米线直径为20nm～150nm，所述三氧化铼层的纳米线直径为5nm～50nm。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述金层的厚度为30nm~350nm，所述三氧化铼层的厚度为10nm~150nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管的真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将金粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述金粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成金层，停止蒸镀所述金层；

然后将三氧化铼粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化铼粉的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述金层表面形成所述三氧化铼层，停止蒸镀所述三氧化铼层，继续通入惰性气体冷却到室温；及

剥离所述衬底，得到所述层叠的金层及三氧化铼层导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金层及三氧化铼层为纳米线结构，所述金层的纳米线直径为20nm～150nm，三氧化铼层的纳米线直径为5nm～50nm。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金层的厚度为30nm~350nm，所述三氧化铼层的厚度为10nm~150nm。

6.一种有机电致发光器件的基板，其特征在于，包括依次层叠的衬底、金层及三氧化铼层，其中，所述金层及三氧化铼层为纳米线结构，所述金层的纳米线直径为20nm～150nm，三氧化铼层的纳米线直径为5nm～50nm。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基板，其特征在于，所述金层的厚度为30nm~350nm，所述三氧化铼层的厚度为10nm~150nm。

8.一种有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管的真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将金粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述金粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成金层，停止蒸镀所述金层；

然后将三氧化铼粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化铼粉的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述金层表面形成所述三氧化铼层，停止蒸镀所述三氧化铼层，继续通入惰性气体冷却到室温。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，所述金层及三氧化铼层为纳米线结构，所述金层的纳米线直径为20nm～150nm，三氧化铼层的纳米线直径为5nm～50nm，所述金层的厚度为30nm~350nm，所述三氧化铼层的厚度为10nm~150nm。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括依次层叠的衬底、金层及三氧化铼层，其中，所述金层及三氧化铼层为纳米线结构，所述金层的纳米线直径为20nm～150nm，三氧化铼层的纳米线直径为5nm～50nm。