[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。

高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的铟层及四氧化三钴层，其中，所述铟层及四氧化三钴层为纳米线结构，所述铟层的纳米线直径为30nm～500nm，所述四氧化三钴层的纳米线直径为6nm～60nm。

在其中一个实施例中，所述铟层的厚度为20nm~300nm，所述四氧化三钴层的厚度为3nm~50nm。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将铟粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述铟粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成铟层，停止蒸镀所述铟层；

然后将四氧化三钴粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；四氧化三钴粉的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述铟层表面形成所述四氧化三钴层，停止蒸镀所述四氧化三钴层，继续通入惰性气体冷却到室温；及

剥离所述衬底，得到所述层叠的铟层及四氧化三钴层导电薄膜。

在其中一个实施例中，所述铟层及四氧化三钴层为纳米线结构，所述铟层的纳米线直径为30nm～500nm，四氧化三钴层的纳米线直径为6nm～60nm。

在其中一个实施例中，所述铟层的厚度为20nm~300nm，所述四氧化三钴层的厚度为3nm~50nm。

一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、铟层及四氧化三钴层，其中，所述铟层及四氧化三钴层为纳米线结构，所述铟层的纳米线直径为30nm～500nm，四氧化三钴层的纳米线直径为6nm～60nm。

在其中一个实施例中，所述铟层的厚度为20nm~300nm，所述四氧化三钴层的厚度为3nm~50nm。

一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将铟粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述铟粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成铟层，停止蒸镀所述铟层；

然后将四氧化三钴放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；四氧化三钴粉末的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述铟层表面形成所述四氧化三钴层，停止蒸镀所述四氧化三钴层，继续通入惰性气体冷却到室温。

在其中一个实施例中，所述铟层及四氧化三钴层为纳米线结构，所述铟层的纳米线直径为30nm～500nm，四氧化三钴层的纳米线直径为6nm～60nm，所述铟层的厚度为20nm~300nm，所述四氧化三钴层的厚度为3nm~50nm。