[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括层叠的铜层及氧化铜层，其中，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，所述氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述铜层的厚度为50nm~200nm，所述氧化铜层的厚度为3nm~50nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管的真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将铜粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述铜粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成铜层，停止蒸镀所述铜层；

然后在所述惰性气体中加入氧气，所述氧气的体积与所述惰性气体体积比为1:4～1:19；铜粉的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述铜层表面形成所述氧化铜层，停止蒸镀所述氧化铜层，继续通入气体冷却到室温；及

剥离所述衬底，得到所述层叠的铜层及氧化铜层导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜层的厚度为50nm~200nm，所述氧化铜层的厚度为3nm~50nm。

6.一种有机电致发光器件的基板，其特征在于，包括依次层叠的衬底、铜层及氧化铜层，其中，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基板，其特征在于，所述铜层的厚度为50nm~200nm，所述氧化铜层的厚度为3nm~50nm。

8.一种有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；

设置管式炉的石英管的真空度为10²Pa~10³Pa，温度为350℃~700℃，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm³/min～180cm³/min；

先将铜粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述铜粉的蒸发时间为10分钟～40分钟，在所述衬底表面形成铜层，停止蒸镀所述铜层；

然后在所述惰性气体中加入氧气，所述氧气的体积与所述惰性气体体积比为1:4～1:19，铜粉的蒸发时间为3分钟～20分钟，在所述铜层表面形成所述氧化铜层，停止蒸镀所述氧化铜层，继续通入混合气体冷却到室温。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm，所述铜层的厚度为50nm~200nm，所述氧化铜层的厚度为3nm~50nm。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括依次层叠的衬底、铜层及氧化铜层，其中，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm。