[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

含Ga的第一氮化物半导体层；以及

氧化铝层，与所述第一氮化物半导体层相接触地形成，其中

所述氧化铝层在界面区域中具有作为Al原子的四配位Al原子和六配位Al原子，所述四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，所述六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围，所述界面区域定位在离相对于所述第一氮化物半导体层的界面1.5nm的区域中；并且

所述四配位Al原子基于所述Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一氮化物半导体层为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

在所述界面区域中所述氧化铝层中的90at％或更多包括γ-Al₂O₃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述氧化铝层具有作为所述界面区域的界面层和叠置在所述界面层上的主体层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一氮化物半导体层在关于所述氧化铝层的所述界面处具有Ga氧化物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述氧化铝层为栅极绝缘膜且具有形成在所述氧化铝层上的栅极电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中

所述器件还具有第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成在所述第一氮化物半导体层下方并且与所述第一氮化物半导体层形成异质结。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

所述器件具有源极和漏极，所述源极和漏极形成到所述第一氮化物半导体层并且在平面图中在所述栅极绝缘膜的两侧上彼此相对。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成含Ga的第一氮化物半导体层；

在所述第一氮化物半导体层上形成氧化铝层，所述氧化铝层包含界面层；

其中所述氧化铝层具有作为Al原子的四配位Al原子和六配位Al原子，所述四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，所述六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围；

其中所述四配位Al原子基于所述Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中所述界面层的厚度大于等于1nm且小于等于3nm。

11.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，还包括：在不含氧化剂的气氛中对所述界面层进行热处理，并且其中所述热处理的温度为大于等于500℃且小于等于1000℃。