[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201310008704.9 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103681743A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 姜镇求 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
在基板上形成的第一电极;
使所述第一电极至少露出一部分的第一像素限定膜;
形成在所述第一像素限定膜和所述第一电极之上,包括第一区域和第二区域的介质层;
与所述第一像素限定膜重叠,并形成在所述介质层的所述第一区域上的第二像素限定膜;
与所述第一电极重叠,并形成在所述介质层的所述第一区域上的发光层;和
覆盖所述第二像素限定膜和所述发光层的第二电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
所述第二区域是所述第一区域发生表面改性而形成,或所述第一区域是所述第二区域发生表面改性而形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
所述第二区域的润湿性比所述第一区域低。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
所述第二区域与所述第一像素限定膜重叠,并且不与所述第二像素限定膜重叠。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
所述第一像素限定膜的厚度为1μm以下,
所述第一像素限定膜与所述第二像素限定膜厚度之和大于1μm。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
所述介质层是与像素的区分无关的共有层。
7.一种有机发光显示装置,包括:
包含多个像素的基板;
形成于所述基板上的各像素的第一电极;
形成在所述基板及所述第一电极上,并包括第一区域及第二区域的介质层;
形成在所述介质层的所述第一区域上,并位于所述各像素的边界部的像素限定膜;
与所述第一电极重叠,并形成在所述介质层的所述第一区域上的发光层;和
覆盖所述像素限定膜和所述发光层的第二电极。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,
所述第二区域是所述第一区域发生表面改性而形成,或所述第一区域是所述第二区域发生表面改性而形成。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,
所述第二区域的润湿性比所述第一区域低。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,
所述第二区域不与像素限定膜重叠。
11.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,
所述介质层是与像素的区分无关的共有层。
12.一种有机发光显示装置的制造方法,包括以下步骤:
形成第一电极,所述第一电极形成在基板上;
形成第一像素限定膜,所述第一像素限定膜使所述第一电极至少一部分露出;
形成介质层,所述介质层形成在所述第一像素限定膜及所述第一电极上,并包括第一区域和第二区域;
形成第二像素限定膜,所述第二像素限定膜与所述第一像素限定膜重叠,并形成在所述介质层的所述第一区域上;
形成发光层,所述发光层与所述第一电极重叠,并形成在所述介质层的所述第一区域上;和
形成覆盖所述第二像素限定膜和所述发光层的第二电极。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置的制造方法,
形成所述介质层的步骤,包括:形成所述第一区域,并对所述第一区域进行选择性表面改性而形成所述第二区域;或者
包括:形成所述第二区域,并对所述第二区域进行选择性表面改性而形成所述第一区域。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,
所述选择性表面改性是通过选择性的紫外线照射而进行。
15.根据权利要求12所述的有机发光显示装置的制造方法,
采用喷嘴印刷法或喷墨印刷法形成所述第二像素限定膜。
16.根据权利要求12所述的有机发光显示装置的制造方法,
所述第一像素限定膜形成为1μm以下的厚度;
所述第二像素限定膜与所述第一像素限定膜的厚度之和大于1μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的