[发明专利]N型MWT太阳能电池结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种N型MWT太阳能电池结构，其特征在于：MWT太阳能电池的背面采用铝结和N型硅片形成P—N结。

2.一种如权利要求1所述的N型MWT太阳能电池结构的制造工艺，其特征在于工艺步骤如下：

a、原硅片预处理：对N型硅片进行表面减反的绒面制备，完成后形成N型带绒面硅片基底；

b、硅片磷扩散：利用三氯氧磷对硅片进行扩散，在正表面形成N+区，N+区域方阻需要大于100ohm/sq，最高表面磷掺杂浓度低于3E20cm^-3；

c、PSG清洗：利用低于5%的HF溶液清洗3～5min，后进行去离子水清洗并干燥；

d、正表面减反钝化膜沉积：在扩散后的硅片N+正表面利用CVD（化学气相沉积）的方式沉积SiNx正表面减反钝化层，形成正表面减反钝化膜；

e、激光打通孔：选用紫外激光器，在完成SiNx沉积后的硅片表面打通孔，通孔直径控制在120μm～200μm；

f、通孔损伤层清洗：选用碱性溶液对通孔中的损伤层进行清洗；

g、背面通孔浆料印刷：对准通孔位置印刷通孔银浆，完成后烘干，要求通孔银浆与铝浆互不接触；

h、背面铝浆形印刷：按指定图形，进行铝浆印刷，印刷后要求铝浆与通孔银浆互不接触；

i、正面细栅线印刷：用于正面电流收集，以及和通孔浆料形成良好的接触，细栅宽度需要小于80μm；

j、高温金属共烧结：在200℃～800℃范围的金属烧结炉中进行金属共烧结，用于形成电极和硅的良好接触，以及形成P+型掺杂区。