[发明专利]一种发射天线选择器和磁共振成像系统有效
申请号: | 201310009092.5 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103926545B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 汪坚敏;王澜;波特·斯特凡;程鸿 | 申请(专利权)人: | 西门子(深圳)磁共振有限公司;西门子公司 |
主分类号: | G01R33/36 | 分类号: | G01R33/36 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 李慧 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 天线 选择器 磁共振 成像 系统 | ||
1.一种发射天线选择器,包括一控制电路、一体线圈信号输出接口和一局部线圈信号输出接口、一射频信号输入接口、一假负载,其中,
所述控制电路包括多个二极管,所述控制电路根据控制信号利用所述二极管将所述射频信号输入接口与所述体线圈信号输出接口导通或与所述局部线圈信号输出接口导通或与所述假负载导通,
所述控制电路包括一第一二极管、一第二二极管和一第三二极管,所述第一二极管的阳极与所述射频信号输入接口和所述局部线圈信号输出接口连接,所述第一二极管的阴极接地,所述第二二极管的阳极与所述射频信号输入接口连接,所述第二二极管的阴极与所述体线圈信号输出接口连接,所述第三二极管的阳极与所述射频信号输入接口和所述假负载连接,所述第三二极管的阴极接地,其中,所述射频信号输入接口和所述第一二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差,所述射频信号输入接口和所述第三二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差,所述假负载和所述第三二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差。
2.如权利要求1所述的发射天线选择器,其特征在于,所述射频信号输入接口和所述第一二极管的阳极之间、所述射频信号输入接口和所述第三二极管的阳极之间以及所述假负载和所述第三二极管的阳极之间分别包括一电感,从而分别具有1/4波长的奇数倍的相位差。
3.如权利要求1所述的发射天线选择器,其特征在于,所述发射天线选择器还包括一体线圈信号输入接口,所述射频信号输入接口与所述体线圈信号输出接口导通时,所述控制电路根据控制信号利用所述二极管将所述体线圈信号输入接口和与所述假负载导通。
4.如权利要求3所述的发射天线选择器,其特征在于,所述控制电路包括一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管和一第四二极管,所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管的阳极与所述射频信号输入接口连接,所述第一二极管的阴极与所述局部线圈信号输出接口连接,所述第二二极管的阴极与所述体线圈信号输出接口连接,所述第三二极管的阴极与所述假负载和所述第四二极管的阳极连接,所述第四二极管的阴极与所述体线圈信号输入接口连接。
5.如权利要求3所述的发射天线选择器,其特征在于,所述控制电路包括一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管和一第四二极管,所述第一二极管的阳极与所述射频信号输入接口和所述局部线圈信号输出接口连接,所述第一二极管的阴极接地,所述第二二极管的阳极与所述射频信号输入接口连接,所述第二二极管的阴极与所述体线圈信号输出接口连接,所述第三二极管的阳极与所述射频信号输入接口、所述假负载和所述第四二极管的阳极连接,所述第三二极管的阴极接地,所述第四二极管的阴极与所述体线圈信号输入接口连接,其中,所述射频信号输入接口和所述第一二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差,所述射频信号输入接口和所述第三二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差,所述假负载和所述第三二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差,所述第四二极管的阳极和所述第三二极管的阳极之间具有1/4波长的奇数倍的相位差。
6.如权利要求5所述的发射天线选择器,其特征在于,所述第一二极管的阳极与所述射频信号输入接口、所述假负载和所述第四二极管的阳极之间分别包括一电感,从而分别具有1/4波长的奇数倍的相位差。
7.如权利要求1-6任一所述的发射天线选择器,其特征在于,所述控制电路还包括分别与所述多个二极管并联的多个保护电路和分别与所述多个二极管串联的多个电源,所述保护电路包括串联的一电容和一电感,所述电源用于控制所述二极管导通或截止。
8.一种磁共振成像系统,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的发射天线选择器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子(深圳)磁共振有限公司;西门子公司,未经西门子(深圳)磁共振有限公司;西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310009092.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。