[发明专利]一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，包括对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜；其特征在于，还包括如下步骤：

（1）对硅片背表面镀钝化层；

（2）在硅片背表面印刷两种浆料，一种为实现背面局部欧姆接触的穿透浆料，一种为实现背面电场的背面电场浆料；

（3）丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场，烧结形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述穿透浆料为铝浆或银铝浆，通过烧结工艺穿透硅片背面介质层，与衬底硅和铝背场形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述背面电场浆料为铝浆。

4.根据权利要求1所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的对硅片背表面镀钝化层，为镀单层钝化层或多层钝化层。

5.根据权利要求4所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述钝化层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或者氧化铝薄膜。

6.根据权利要求1所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的对硅片正面镀减反膜，为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氧化铝薄膜中的任意一层或多层。

7.根据权利要求1所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述背电场区域接触，其接触方式为线性接触方式或者点接触方式。

8.根据权利要求7所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述线性接触方式中，接触线为直线或者曲线，接触线在硅片内为连续线或者间断性曲线，线与硅片的角度为0～90°。

9.根据权利要求7所述背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述点接触方式中，接触点为点的矩阵排列，为三角形、正方形或菱形排列方式。