[发明专利]磁阻存储器的形成方法

权利要求书

1.一种磁阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述衬底上形成有金属间介质层；

在所述金属间介质层中形成沟槽；

形成衬垫材料层、位于所述衬垫材料层上的布线层，覆盖所述金属间介质层、填充所述沟槽；

去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层，剩余沟槽中的布线层，为布线；

形成覆盖层，覆盖所述布线和沟槽侧壁的衬垫材料层，以及紧邻所述沟槽两侧的金属间介质层上的部分衬垫材料层；

去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层，剩余的衬垫材料层为衬垫层；

去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，在所述布线上形成磁性隧道结。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖层的方法，包括：

沉积覆盖材料层，覆盖金属间介质层；

图形化所述覆盖材料层，形成覆盖层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，沉积覆盖材料层的方法为化学气相沉积。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬垫材料层为三层结构，包括底部的氮化钽层、位于氮化钽层上的磁性材料层、位于磁性材料层上的氮化钛层。

5.如权利要求1或4所述的形成方法，其特征在于，去除所述覆盖层两侧的衬垫材料层的方法为化学机械抛光，其中，覆盖层相比于衬垫材料层具有低抛光选择比，在去除覆盖层两侧的衬垫材料层时不会去除覆盖层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为无定形碳、氮化硅或氧化硅。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述磁性材料层的材料包括铁、钴、镍中的一种，或铁、钴或镍的氧化物，或铁合金、镍合金或钴合金。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，形成磁性隧道结前，去除覆盖层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，去除所述覆盖层的方法，使用干法刻蚀工艺。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在去除覆盖层后，形成磁性隧道结前，形成覆盖金属间介质层、布线和衬垫层的介质层。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述布线的材料为铜。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层的方法，包括化学机械抛光。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述金属间介质层中形成沟槽之前，在金属间介质层上形成阻挡层。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述布线为字线或位线。