[发明专利]一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法

权利要求书

1.一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法，其特征在于，先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构，具体步骤如下：

a. 将电阻率为8 Ω?cm~13 Ω?cm的(100)单晶硅片浸泡在丙酮溶液中，在35 ℃水浴中超声10 min~20 min；然后用去离子水冲洗干净后，超声10 min~15 min；取出样品，放在CP4A清洗液中常温浸泡3 min~5 min，所述CP4A清洗液为质量分数为40%的氢氟酸、乙酸、质量分数为65%~68%的硝酸及超纯水组成的混合溶液，其中质量分数为40%的氢氟酸、乙酸、质量分数为65%~68%的硝酸及超纯水的体积比为3:5:3:22；最后用质量分数为14%的氢氟酸溶液浸泡2 min~3 min后，取出用去离子水冲洗干净，然后用氮气吹干，放入干燥器中备用；

b. 用质量分数为3%的氢氧化钠、体积分数为8%的异丙醇配置刻蚀液，其中质量分数为3%的氢氧化钠与体积分数为8%的异丙醇溶液的体积比为25：2，在80 ℃水浴条件下刻蚀经步骤1处理好的样品30 min~50 min，在硅表面刻蚀出锥体结构；

c. 利用高分辨磁控离子溅射仪在已刻蚀的锥体结构表面镀银，溅射电流为15 mA~50 mA、溅射时间为15 s~30 s；

d. 步骤c所得锥体结构表面镀银样品在氮气保护下，在350 ℃~400 ℃条件下，退火2 h~3 h，待冷却后，在硅表面形成一层粒径在40 nm~100 nm之间的非连续银纳米颗粒，即得到基于LSP效应陷光增效新型减反射结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述(100)单晶硅片的尺寸为2 cm×2 cm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述去离子水电阻率不小于16 Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述锥体形貌为金字塔、方锥、圆锥和四面体结构形貌中的一种或多种。