[发明专利]基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法

权利要求书

1.一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的基底为石英玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的基底表面的均方根粗糙度大于0nm，小于0.5nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的镍单层膜的厚度为0.5um～2um。

5.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的镍单层膜上刻蚀有图案。

6.一种如权利要求1～5任一所述的基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上镀制镍单层膜，最后用激光刻蚀的方法在镍单层膜上刻蚀出图案。

7.根据权利要求6所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，所述的对基底进行清洗包括以下步骤：

采用有机清洗液超声波清洗8-12分钟，去离子水超声波清洗3-8分钟，MOS级乙醇超声波清洗8-12分钟，去离子水超声波清洗8-12分钟，干燥的纯净氮气吹干，其中所述的有机清洗液为洗洁精，去离子水电阻率≤18MΩ。

8.根据权利要求6所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，所述的直流磁控溅射方法包括以下步骤：

(1)镀制镍单层膜前，调节溅射室的本底真空度低于2×10^-4帕斯卡，靶到基底的距离为8厘米；

(2)调节磁控溅射的溅射靶枪的工作模式为恒功率溅射，溅射功率为50～60瓦；

(3)利用靶和基底之间的机械挡板来控制薄膜的厚度：通过公转电机将基底运动到装有镍靶材料的溅射靶枪上方，移开挡板，开始镀膜，通过镀膜时间来控制镍单层膜的厚度；在膜层沉积过程中，基底保持自转，自转速度为30～50转/分钟。

9.根据权利要求6所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，所述的激光刻蚀的方法包括以下步骤：

(1)激光刻蚀前，先将刻蚀图案输入到连接激光器的计算机内，将镍单层膜固定在激光输出端的正前方，使激光位于其中心位置；

(2)分别调节激光器的的参数，其中，功率为2000～4000mw，刻蚀速率为50～200mm/s，步长为3～10um；

(3)利用激光束的运动进行刻蚀：在计算机的控制下，激光束依次扫过镍单层膜将被刻蚀掉的部分，当激光与镍单层膜接触时，激光束便将镍单层膜烧蚀掉，刻蚀出所需图案。

10.根据权利要求9所述的一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，所述的激光器所用波长为1064nm，Q开光频率为50KHZ。