[发明专利]半导体堆栈结构及其制法有效
| 申请号： | 201310009469.7 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103199065A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 林柏伸;许传进;陈秉翔;江承翰;陈键辉;林锡坚;何彦仕 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 堆栈 结构 及其 制法 | ||
1.一种半导体堆栈结构，其特征在于，包括：
基板；以及
芯片，其具有相对的第一表面与第二表面，该芯片的第一表面堆栈于该基板上，且该芯片的第一表面上具有线路结构，而该芯片的第一表面边缘具有翘曲部。
2.根据权利要求1所述的半导体堆栈结构，其特征在于，该芯片上的应力集中于该翘曲部上。
3.根据权利要求1所述的半导体堆栈结构，其特征在于，该基板与该芯片之间具有挡层。
4.根据权利要求1所述的半导体堆栈结构，其特征在于，该基板的材质为玻璃或硅。
5.一种半导体堆栈结构的制法，其特征在于，包括：
于基板上堆栈晶圆，该晶圆具有接置该基板的第一表面与相对该第一表面的第二表面，该晶圆的第一表面上具有线路结构及切割区；
移除该晶圆的部分材质，以形成对应该切割区的切割槽，令该切割区外露于该切割槽；以及
进行切割，沿该切割槽切割该基板与该晶圆，以于该切割区上形成应力集中处，而使该切割区形成翘曲部。
6.根据权利要求5所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该基板与该晶圆之间具有挡层。
7.根据权利要求6所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，进行切割时，一并切割该挡层。
8.根据权利要求5所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该基板的材质为玻璃或硅。
9.根据权利要求5所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该晶圆由多个芯片所组成。
10.根据权利要求9所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该切割槽位于各该芯片之间，以在进行切割后，该翘曲部位于该芯片的边缘。
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