[发明专利]一种非制冷热释电红外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种非制冷热释电红外探测器，包括衬底（6）、热敏感单元（7），所述热敏感单元（7）包括热敏感薄膜（3）和电极（2），其特征在于，所述热敏感薄膜（3）的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3；

其中，1<x1≤2.5，0.5≤x2≤0.9，0≤x3<0.9，0.2<x4<0.5，0.9<y1<1，0.2<x5<0.9。

2.如权利要求1所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，所述热敏感薄膜（3）的厚度为50nm-5um。

3.如权利要求1所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，所述电极（2）的材料为(Ba_x6Sr_1-x6)RuO₃，0≤x6<1，电极的厚度为10nm-1um。

4.如权利要求1所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，所述衬底（6）的厚度为0.01~10mm。

5.如权利要求1所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，所述电极（2）设置于热敏感薄膜（3）的上面和/或下面。

6.如权利要求1、2、3、4或5所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，在所述衬底（6）和热敏感单元（7）之间还设置有支撑层（5），所述支撑层（5）的材料为SiO₂，或多孔SiO₂，或Si₃N₄，或PI。

7.如权利要求6所述的非制冷热释电红外探测器，其特征在于，所述支撑层（5）的厚度为50nm-50um。

8.一种制备权利要求1的非制冷热释电红外探测器的方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1：选择硅单晶基片，或SrTiO₃单晶基片，或LaAlO₃单晶基片，或Al₂O₃单晶基片制备衬底；

步骤2：在所述衬底上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极；

步骤3：用激光刻蚀机自热敏感单元向衬底的方向，对所述热敏感薄膜和电极进行图形化处理；

步骤4：用激光刻蚀机自热敏感单元向衬底的方向，对衬底进行图形化处理。

9.如权利要求8所述的热释电红外探测器制备方法，其特征在于，所述步骤2中，还包括，选择SiO₂，或多孔SiO₂，或Si₃N₄，或PI材料制备支撑层；则在步骤4中，待用激光刻蚀机对所述支撑层进行图形化处理后，再对衬底进行图形化处理。

10.如权利要求9所述的热释电红外探测器制备方法，其特征在于，设置所述激光刻蚀机的激光束光斑直径1-100um，功率0.1-10W，扫描速度0-500mm/s。