[发明专利]金属互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201310009778.4 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103928394A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上自下而上依次具有前层介电层、刻蚀终止层、介电牺牲层；
在所述介电牺牲层内刻蚀形成多个沟槽；
在所述沟槽内填入金属并平坦化去除沟槽外的多余金属以形成金属互连结构的第一套金属图案；
去除介电牺牲层，保留所述金属互连结构的第一套金属图案；
在所述金属互连结构的第一套金属图案周围及之间形成覆盖层；
回蚀所述覆盖层形成侧墙，在所述侧墙的间隙内填入金属并平坦化去除所述间隙外的多余金属以形成金属互连结构的第二套金属图案，所述回蚀对侧墙间的间隙处理可使第二套金属图案与之前形成的第一套金属图案深度一致。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述前层介电层具有目标电连接区域，沟槽内填入的金属或间隙内填入的金属与所述目标电连接区域连接。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述目标电连接区域为导电插塞。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述间隙内填入金属并平坦化去除所述间隙外的多余金属步骤后，还进行：
去除侧墙并保留金属互连结构的金属图案；
在所述金属图案之间填入低K或超低K材质以形成低K或超低K介电层的金属互连结构。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述间隙内填入金属并平坦化去除所述间隙外的多余金属步骤后，还进行：
去除侧墙并保留金属互连结构的金属图案；
在所述金属图案之上淀积盖层以形成具有空气隙的金属互连结构。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述盖层为后层金属互连结构的刻蚀终止层。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属互连结构的第一套金属图案周围及之间的覆盖层是通过原子层沉积法形成。
8.根据权利要求1或7所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅中的一种或者几种的任意组合。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介电牺牲层的材质为低K或超低K材质介电层、二氧化硅、有机材料、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅中的一种或者几种的任意组合。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沟槽内填入的金属和间隙内填入的金属都为铜、铝、银、钛、钽、钨或其组合物。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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