[发明专利]新型笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料有效

申请号：	201310010313.0	申请日：	2013-01-11
公开（公告）号：	CN103012464A	公开（公告）日：	2013-04-03
发明（设计）人：	李焕荣;陈晓凡;张盼宁	申请（专利权）人：	河北工业大学
主分类号：	C07F7/21	分类号：	C07F7/21;C09K11/06
代理公司：	天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210	代理人：	赵凤英
地址：	300401 天津市***	国省代码：	天津;12
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摘要：
搜索关键词：	新型笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料
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【权利要求书】：

1.一种新型笼型低聚倍半硅氧烷（POSS），其特征为下列物质之一：

（1），以TTASi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其结构式为：

或者，（2）以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其结构式为：

或者，（3），以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其结构式为：

其中，上面结构式中

2.如权利要求1所述的新型笼型低聚倍半硅氧烷（POSS）的制备方法，其特征为下列方法之一：

方法（1），以TTASi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制备方法，包括如下步骤：

按摩尔比1，3，5，7,9，11，14-七异丁基三环[7.3.3.15，11]七硅氧烷-内-3，7，14-三醇(T):TTASi＝1:1的配比，将T用三氯甲烷溶解后加入反应器，TTASi用四氢呋喃溶解后同时加入反应器中，惰性环境下60℃加热、搅拌4.5h后，经旋蒸、洗涤和干燥，得到以TTASi为补角体的笼型低聚倍半硅氧烷，记作T-TTASi；

或者，方法（2），以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制备方法，包括如下步骤：

按摩尔比1，3，5，7,9，11，14-七异丁基三环[7.3.3.15，11]七硅氧烷-内-3，7，14-三醇(T):BipySi＝2:1的配比，将T用三氯甲烷溶解后加入反应器，BipySi用二甲基亚砜溶解后同时加入反应器中，惰性环境下60℃加热、搅拌4.5h，得到以BipySi为补角体的笼型低聚倍半硅氧烷，记作T-BipySi；

或者，方法（3），以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)制备方法，包括如下步骤：

按摩尔比1，3，5，7,9，11，14-七异丁基三环[7.3.3.15，11]七硅氧烷-内-3，7，14-三醇(T):TpySi＝1:1的配比，将T用三氯甲烷溶解后加入反应器，TpySi用四氢呋喃溶解后同时加入反应器中，惰性环境下60℃加热、搅拌4.5h，，得到以TpySi为补角体的笼型低聚倍半硅氧烷，记作T-TpySi。

3.一种新型笼型低聚倍半硅氧烷（POSS）/稀土离子发光材料，其特征为下列物质之一：

（1），以TTASi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料，其结构式为：

或者，（2），以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料，其结构式为：

或者，（3），以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料，其结构式为：

其中，上面结构式中

稀土离子Ln为Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Tm³⁺或Dy³⁺。