[发明专利]一种电容压力传感器无效
| 申请号： | 201310010851.X | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103162894A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何永泰;肖丽仙;刘晋豪 | 申请（专利权）人： | 楚雄师范学院 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 675000 云南省楚*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 压力传感器 | ||
1.一种电容压力传感器，其特征在于：包括上级板、下级板(6)和圆形侧壁(3)；
所述的上级板包括圆形岛(1)和圆形膜(2)，圆形岛(1)为一圆柱体，圆形膜(2)为一圆柱体；圆形岛(1)位于圆形膜(2)的上方，圆形岛(1)和圆形膜(2)粘结固定连接；
所述的下级板(6)为一中心带有圆形凹圆(5)的长方体，且下级板(6)的表面有一层绝缘层(4)；
所述的上级板和下级板(6)之间通过圆形侧壁(3)粘结固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种电容压力传感器，其特征在于：所述的圆形岛(1)的厚度为2μm，圆形岛(1)的半径为50μm，圆形岛(1)材料为多晶硅。
3.根据权利要求1或2所述的一种电容压力传感器，其特征在于：圆形膜(2)厚度为0.5μm，圆形膜(2)的材料为多晶硅；圆形膜(2)的半径为65μm。
4.根据权利要求1所述的一种电容压力传感器，其特征在于：所述的圆形凹圆(5)的深度为0.55μm，半径为40μm。
5.根据权利要求1所述的一种电容压力传感器，其特征在于：所述的绝缘层(4)为氮氧化硅材料，位于圆形凹圆(5)内的绝缘层(4)的厚度为0.2μm。
6.根据权利要求1所述的一种电容压力传感器，其特征在于：所述的圆形侧壁(3)的材料为多晶硅，壁厚为1μm，高为0.5μm。
7.根据权利要求1所述的一种电容压力传感器，其特征在于：所述的圆形膜(2)的半径与圆形侧壁(3)的半径相同。
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