[发明专利]具有金属板电容的电路及射频开关、低噪声放大器

说明书

技术领域

本发明实施例涉及电气技术，尤其涉及一种具有金属板（Metal-Insulator-Metal,MIM）电容的电路及射频开关、低噪声放大器。

背景技术

随着对高介电常数材料的不断研究，MIM电容由于其具有工艺简单，容值大以及较小的漏电流等优点，在数字和射频电路中得到了广泛的应用。

在器件中，如射频开关、衰减器、低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）等内部需要大面积MIM电容，用于滤波和直流偏置，但在工艺制作中存在很多隐患，如工艺缺陷会导致MIM电容短路击穿及静电放电（Electro-Static discharge，ESD）击穿/电过应力（Electric Over Stress，EOS）击穿等现象的发生，导致MIM电容短路失效。尽管厂家进行了工艺优化，但却无法彻底规避MIM电容的失效，给器件的可靠性带来了很大的影响。现有的解决方案是通过将MIM电容串联来作规避。图1为现有技术具有金属板电容的电路的结构图。如图1所示，电路由MIM电容C11和C12串联组成，其中MIM电容C11短路失效后，MIM电容C12还可以保证器件的功能和性能，减小由于工艺不良造成的器件失效。

上述解决方案虽然规避了MIM电容短路导致器件功能失效的问题，但却增加了每个MIM电容的面积，如图1所示，如果整个器件的设计要求具有MIM电容的电路提供的电容值最小为10pF来保证滤波特性，即要求MIM电容C11和C12串联后总的电容值最小为10pF，则每个MIM电容的电容值就必须大于20pF，从而较常规只使用单MIM电容来保证滤波特性的情况，需要更大面积的MIM电容，而对于MIM电容，面积越大产生失效的几率就越大，所以对于较大电容值的MIM电容是无法采用串联方式规避MIM电容失效的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种具有金属板电容的电路及射频开关、低噪声放大器，以解决金属板电容短路导致器件功能失效的问题，以实现提高金属板电容的工作可靠性。

第一方面，本发明实施例提供一种具有金属板电容的电路，包括：至少两个金属板电容，各金属板电容并联设置于电路中；至少两个关断器件，分别与每个金属板电容串联。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述关断器件的关断由所述关断器件所在具有金属板电容的电路的支路电流或电压控制。

根据第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述关断器件为金属熔丝。

第二方面，本发明实施例提供一种射频开关，包括场效应管、金属板电容和薄膜电阻，其中，还包括本发明任意实施例所提供的具有金属板电容的电路。

第三方面，本发明实施例提供一种低噪声放大器，包括场效应管、金属板电容和薄膜电阻，其中，还包本发明任意实施例所提供的具有金属板电容的电路。

本发明实施例具有金属板电容的电路及射频开关、低噪声放大器，通过采用金属板电容并联的方式，实现金属板电容工作可靠性的提高，解决由金属板电容短路失效影响器件可靠性和稳定性的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术具有金属板电容的电路的结构图；

图2为本发明具有金属板电容的电路实施例一的结构图；

图3为本发明具有金属板电容的电路实施例二的结构图；

图4为本发明射频开关实施例的结构图；

图5为本发明低噪声放大器实施例的结构图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图2为本发明具有金属板电容的电路实施例一的结构图，所述具有MIM电容的电路可以应用于射频开关、衰减器、LNA等器件中，用来实现滤波、直流偏置等功能。所述具有MIM电容的电路包括：至少两个MIM电容，各MIM电容并联设置于电路中；至少两个关断器件，分别与每个MIM电容串联。