[发明专利]一种合成孔径雷达成像处理转置存储方法和数据访问方法

权利要求书

1.一种合成孔径雷达成像处理过程中的高效转置存储方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、根据合成孔径雷达二维数据矩阵大小和数据位宽，选取容量和数据位宽匹配的DDR3 SDRAM；

步骤二、将合成孔径雷达二维数据矩阵划分成多个大小相等的子矩阵块，每个子矩阵块中的数据点数正好与DDR3 SDRAM一行所能存放的数据点数相等；

步骤三、对子矩阵块进行逐行编号，将第1个子矩阵块的数据逐行地映射至DDR3SDRAM的Bank 0的第1行里面；将第2个子矩阵块的数据按照相同方法逐行地映射至DDR3SDRAM的Bank 1的第1行，以此类推，映射完Bank K-1的第1行，再转向Bank 0的第2行，直至所有子矩阵块的数据映射完毕；K为DDR3 SDRAM中Bank的数量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一中，如果一片DDR3 SDRAM存储颗粒不能满足容量需求，则可以采用多片存储颗粒首尾相接的方式，来扩展行数；当一片DDR3SDRAM存储颗粒不能满足位宽需求时，则可以采用多片存储颗粒数据线并行的方式扩展位宽，且地址、控制线共用。

3.一种基于如权利要求1所述转置存储方式的数据访问方法，其特征在于，该方法包括距离向数据访问和方位向数据访问；

设，DDR3 SDRAM中Bank的数量为K，合成孔径雷达二维数据中子矩阵块的列数为N，子矩阵块中的数据点列数为Nr；

距离向访问数据时，首先找到待访问的一行距离向数据在Bank0中的起始位置，该起始位置包括起始行地址和起始列地址；从起始位置连续访问Nr点数据；然后跳至下一Bank的所述起始位置访问下一Nr点数据；到Bank K-1后，返回Bank0访问下一行所述起始列地址位置开始的Nr点数据，如此反复至该行距离向数据访问完毕；其中，K为DDR3 SDRAM中Bank的数量；

方位向访问数据时，首先找到待访问的一列方位向数据在DDR3 SDRAM中的起始位置，该起始位置包括Bank地址、起始行地址和起始列地址；从起始位置开始访问，每隔Nr点访问一次，访问完一行跳至当前Bank中当前行地址+△、起始列地址不变的位置，继续跳点访问直至该列方位向数据访问完毕；其中，△=N÷K；由于DDR3 SDRAM以Burst x模式访问，一次访问了连续x条不同方位向上的数据，将此数据在处理芯片内部做缓存，逐条处理完毕。