[发明专利]一种用于在单纳米线上制备电极的方法

权利要求书

1.一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：该制备电极的方法包括以下步骤：将纳米线分散在绝缘基底上，然后在绝缘基底上覆盖一层纳米级的Al薄膜作为导电层和纳米线的覆盖层，然后在Al薄膜上旋涂电子束光刻胶，根据绝缘基底上纳米线的位置对旋涂的电子束光刻胶进行光刻显影、坚膜得到电极的光刻胶图案，然后湿法刻蚀Al薄膜形成底切窗口，然后沉积金属并对沉积在电子束光刻胶上的金属进行剥离，然后腐蚀去除Al薄膜。

2.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：将纳米线超声分散在溶剂中得悬浊液，将悬浊液滴加至绝缘基底上，然后将绝缘基底上的溶剂通过烘烤蒸干，使纳米线分散在绝缘基底上。

3.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：所述Al薄膜采用溅射沉积获得，厚度为150-500纳米。

4.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：所述坚膜在热板上进行，热板温度为100-110℃，坚膜时间为10-25分钟。

5.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：所述湿法刻蚀Al薄膜使用的刻蚀液为0.05-0.3mol/L的四甲基氢氧化铵水溶液，刻蚀时间为60-300秒，刻蚀温度为17-25℃。

6.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：所述沉积金属的厚度不超过180纳米。

7.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：所述制备电极的方法具体包括以下步骤：

1）将CdS纳米线超声分散在溶剂中得纳米线的悬浊液；

2）将绝缘基底清洗干净后加热到90℃，然后在绝缘基底上滴几滴悬浊液，溶剂蒸发除去后CdS纳米线分散在基底上；

3）在分散有CdS纳米线的绝缘基底上溅射沉积200nm厚的Al薄膜；

4）在Al薄膜上旋涂500nm厚的电子束光刻胶；

5）经过步骤4）后，在电子束曝光机下对覆盖在Al薄膜下的CdS纳米线进行定位，然后进行光刻显影、坚膜；

6）经过步骤5）后，使用0.1mol/L的四甲基氢氧化铵水溶液刻蚀Al薄膜150秒，刻蚀温度为23℃，然后用去离子水冲洗，冲洗后使用氮气吹干，吹干后在热板上于100℃烘烤10分钟；

7）经过步骤6）后，依次溅射沉积厚度为25nm的Ti以及厚度为150nm的Pd得电极金属薄膜，然后在丙酮中剥离沉积在电子束光刻胶上的电极金属薄膜，然后使用所述四甲基氢氧化铵水溶液刻蚀去除绝缘基底上剩余的Al薄膜，得到制备于CdS纳米线上的电极。