[发明专利]硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一，将处理后的硅片清洗，烘干后，加入Piranha溶液中浸泡；

步骤二，取出Piranha溶液中的硅片，清洗，烘干，加入硅烷溶液中进行自组装反应，得产物A；

步骤三，取出产物A，清洗，保温，得硅基表面带有氨基硅烷薄膜硅片；

步骤四，将步骤三的产物放入氧化石墨烯溶液中，进行反应，得产物B；

步骤五，取出产物B，清洗，烘干，保温，即得最终产物硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜。

2.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述硅片为单晶硅、多晶硅；所述硅片为抛光处理所得。

3.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述Piranha溶液为浓H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液配置而成，其中浓H₂SO₄溶液与H₂O₂溶液的体积比为(30～70)∶(10～30)。

4.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述清洗为依次采用无水乙醇、去离子水清洗，所述烘干为高纯氮气吹干，所述浸泡时间为30～60min。

5.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述的硅烷溶液为3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液，所述硅烷溶液的浓度为0.4～0.6mmol/L。

6.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述保温条件为：放入烘箱中80～100℃保温1～2小时。

7.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述氧化石墨烯溶液由以下步骤制得：

称取氧化石墨烯粉末加入NaOH溶液中，超声处理后，加入氯乙酸溶液中，超声处理，离心水洗，即可。

8.如权利要求7所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯粉末为1～3g/L，所述NaOH溶液的浓度为230～250g/L，所述氯乙酸溶液的浓度为190～210g/L。

9.如权利要求1所述的硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤五中，烘干的温度为190～210℃，保温时间为3～4小时。