[发明专利]条形结构的形成方法

权利要求书

1.一种条形结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀材料层，在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形包括若干条互相平行且均匀排列的条形掩膜结构，所述第一掩膜图形的总宽度大于后续形成的第二掩膜图形的总宽度，所述第一掩膜图形的总长度大于后续形成的第二掩膜图形的总长度；

以所述第一掩膜图形为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行第一刻蚀，形成第一条形图形，所述第一条形图形包括若干条互相平行且均匀排列的第一条形结构；

去除所述第一掩膜图形，在所述第一条形图形上形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形定义出后续形成的第二条形结构的区域，且所述第二掩膜图形对应于第一条形图形的中间区域；

以所述第二掩膜图形为掩膜，对所述暴露出的第一条形结构进行第二刻蚀，形成第二条形图形，其中，被第二掩膜图形覆盖的第一条形结构形成第二条形结构。

2.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层，在所述第一掩膜材料层表面形成光刻胶层，利用一次光刻工艺形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩膜对所述第一掩膜材料层进行刻蚀形成第一掩膜层，所述第一掩膜层作为第一掩膜图形，去除所述图形化的光刻胶层。

3.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成光刻胶层，利用一次光刻工艺形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层作为第一掩膜图形。

4.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层，在所述第一掩膜材料层表面形成第一光刻胶层，利用光刻工艺形成图形化的第一光刻胶层，并以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜对第一掩膜材料层进行刻蚀，形成第一掩膜层，在所述待刻蚀材料层和第一掩膜层表面形成第二光刻胶层，利用光刻工艺形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层间隔地位于第一掩膜层之间，所述图形化的第二光刻胶层和第一掩膜层构成第一掩膜图形。

5.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层，在所述第一掩膜材料层表面形成牺牲光刻胶层，利用光刻工艺形成图形化的牺牲光刻胶层，在所述图形化的牺牲光刻胶层两侧形成侧墙，去除所述图形化的牺牲光刻胶层，以所述侧墙为掩膜对所述第一掩膜材料层进行刻蚀形成第一掩膜层，所述第一掩膜层作为第一掩膜图形。

6.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成第一光刻胶层，利用光刻工艺形成图形化的第一光刻胶层，对所述图形化的第一光刻胶层进行固化，在所述待刻蚀材料层和固化的图形化的第一光刻胶层表面形成第二光刻胶层，利用光刻工艺形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层间隔地位于图形化的第一光刻胶层之间，所述图形化的第二光刻胶层和图形化的第一光刻胶层构成第一掩膜图形。

7.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第二条形结构为多晶硅电阻、栅极结构、金属电阻、金属互连线或鳍式场效应晶体管的鳍部结构。

8.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜图形的长度定义了第二条形结构的长度，所述第二掩膜图形的宽度定义了一个第二条形图形中第二条形结构的条数。

9.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜图形为矩形。

10.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，当所述第二掩膜图形为多个时，相邻的第二掩膜图形之间的间距至少大于相邻两个第一条形结构之间的间距的两倍。

11.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜图形的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、光刻胶、聚合物其中的一种或几种。

12.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜图形的材料为光刻胶。