[发明专利]一种解决晶圆破片的方法

权利要求书

1.一种解决晶圆破片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将器件晶圆与载片进行键合，键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底，所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间；

步骤二，对器件晶圆背面研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度；

步骤三，对器件晶圆进行退火；

步骤四，对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；

步骤五，对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻，刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底；

步骤六，对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻，将器件晶圆减薄至要求厚度。

2.根据权利要求1所述的一种解决晶圆破片的方法，其特征是：所述的步骤三中的退火过程在惰性气体中完成。

3.根据权利要求2所述的一种解决晶圆破片的方法，其特征是：所述的退火过程在氩气中完成。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种解决晶圆破片的方法，其特征是：所述的退火温度为400℃。

5.根据权利要求4所述的一种解决晶圆破片的方法，其特征是：所述的退火时间为1～3小时。

6.根据权利要求5所述的一种解决晶圆破片的方法，其特征是：所述的退火时间为2小时。