[发明专利]功率晶体管中的电流测量

权利要求书

1.一种电路装置，包括：

负载晶体管，其包括控制端子、第一负载端子以及第二负载端子，其中，所述负载晶体管被配置为以导通状态或以截止状态进行操作；

传感晶体管，其均包括控制端子、第一负载端子以及第二负载端子，其中，所述负载晶体管的第一负载端子与所述传感晶体管的第一负载端子耦接，并且其中，所述负载晶体管被配置为以导通状态或以截止状态进行操作；

测量电路，其包括被配置为提供校准电流的电流源，所述测量电路被配置为在所述传感晶体管处于导通状态时测量所述传感晶体管的第一负载端子和第二负载端子之间的第一电压、基于所述校准电流和所述第一电压确定所述传感晶体管的电阻、在所述负载晶体管处于导通状态时测量所述负载晶体管的第一负载端子和第二负载端子之间的第二电压、以及基于所述传感晶体管的电阻和所述第二电压确定通过所述负载晶体管的负载电流。

2.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述负载晶体管的控制端子与所述传感晶体管的控制端子耦接。

3.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述电流源包括与电源电压端子耦接的电阻器。

4.根据权利要求1所述的电路装置，

其中，所述传感晶体管包括m个并联的晶体管单元，并且所述负载晶体管包括n个并联的晶体管单元，m≥1并且n≥1，以及

其中，所述测量电路被配置为根据比率n/m计算所述负载电流。

5.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述传感晶体管包括m个并联的晶体管单元，并且所述负载晶体管包括n个并联的晶体管单元，m≥1并且n≥1。

6.根据权利要求5所述的电路装置，其中，所述测量电路被配置为计算通过所述负载晶体管的负载电流，其与

VDS1·nm·RON2]]>成比例，其中，

V_DS2为所述第一电压，并且

R_ON2为所述传感晶体管的电阻。

7.根据权利要求1所述的电路装置，

其中，所述测量电路包括输入端子，所述输入端子与所述负载晶体管的第一负载端子和所述传感晶体管的第一负载端子耦接；以及

其中，电压箝位元件耦接在所述输入端子与所述负载晶体管的第一负载端子和所述传感晶体管的第一负载端子之间。

8.根据权利要求7所述的电路装置，其中，所述电压箝位元件包括耗尽晶体管。

9.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述负载晶体管和所述传感晶体管在公共的半导体本体中实现。

10.根据权利要求5所述的电路装置，其中，每个晶体管单元包括：

源极区域；

漂移区域；

本体区域，其分离所述源极区域和所述漂移区域；以及

漏极区域，其与所述源极区域隔开。

11.根据权利要求10所述的电路装置，其中，所述漏极区域对于所述晶体管单元是公共的。

12.根据权利要求10所述的电路装置，其中，每个晶体管单元还包括：

场电极，其与所述漂移区域相邻并且通过场电极电介质与所述漂移区域介电绝缘。

13.根据权利要求12所述的电路装置，其中，所述场电极电介质延伸到漏极区域、进入漏极区域、或者与所述漏极区域相距的距离小于两个相邻的场电极电介质之间的所述漂移区域的宽度的两倍。

14.根据权利要求12所述的电路装置，其中，两个晶体管单元共享一个场电极。