[发明专利]利用氮气通过反应溅射锌靶形成的薄膜半导体材料在审
| 申请号： | 201310012850.9 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103147039A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 彦·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 氮气 通过 反应 溅射 形成 薄膜 半导体材料 | ||
1.一种通过反应溅射形成的非晶半导体膜，所述半导体膜包含锌、氧和氮的三元化合物。
2.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约100ohm/sq至约1x107ohm/sq之间的方块电阻。
3.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约0.001ohm-cm至约30ohm-cm之间的电阻值。
4.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有大于约30cm2/V-s的迁移率。
5.如权利要求4所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有大于约90cm2/V-s的迁移率。
6.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有高达约80%的透射率。
7.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约3.1eV至约1.2eV之间的渐变的带隙能。
8.如权利要求1所述的半导体膜，其中所述化合物包含ZnNxOy。
9.如权利要求8所述的半导体膜，其中所述化合物包含掺杂。
10.如权利要求9所述的半导体膜，其中所述掺杂包含铝。
11.如权利要求10所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约100ohm/sq至约1x107ohm/sq之间的方块电阻。
12.如权利要求8所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约0.001ohm-cm至约30ohm-cm之间的电阻值。
13.如权利要求8所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有大于约30cm2/V-s的迁移率。
14.如权利要求13所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有大于约90cm2/V-s的迁移率。
15.如权利要求8所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有高达约80%的透射率。
16.如权利要求8所述的半导体膜，其中所述半导体膜具有介于约3.1eV至约1.2eV之间的渐变的带隙能。
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