[发明专利]多层陶瓷电子部件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年4月26日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请第10-2012-0043976号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用的方式结合于此。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电子部件。

背景技术

在多层陶瓷电容器、多层陶瓷电子部件中，内部电极被形成在多个介电层之间。

由于电子产品正在越来越小型化和多功能化，因此被嵌入在电子产品中的芯片型多层电容器也正在越来越多地需要被小型化并且具有高电容量。

在多层电容器中实现小型化和高电容量的趋势在阵列型多层陶瓷电容器中也是明显的。在阵列型多层陶瓷电容器中，在印刷于各个介电层上的相邻内部电极之间形成有间隙，并且已通过在间隙处弯曲地形成彼此相邻的边沿部分而阻止电集中。

对于被设置在阵列型多层陶瓷电容器中的介电层之间的上内部电极和下内部电极来说，电场被集中在内部电极图案的内部电极边缘上、在上内部电极和下内部电极开始相互重叠的点处，并且因此，其击穿电压（BDV）特性可能被恶化。

在叠层的数量被增加并且介电层厚度被减小以实现小型化和高电容量的阵列型多层陶瓷电容器中，上内部电极和下内部电极之间的干扰可能更加严重，并且因此，存在对于通过进一步具体指明被形成在相邻的内部电极之间的间隙与相互面对的内部电极的内部电极边缘的曲率之间的关系而研究BDV特性的改进的需求。

下文中的相关技术文献1没有揭露阵列型多层电容器；相关技术文献2揭露了在电容形成方面是不适合的内部电极图案；以及相关技术文献3揭露了内部电极的弯曲形状，但是没有揭露内部电极之间的间隙的距离。

[相关技术文献]

（文献1）日本专利公开第2002-299148号

（文献2）日本专利公开第1999-026291号

（文献3）韩国专利公开第2005-0089493号

发明内容

本发明的一个方面提供了一种阵列型多层陶瓷电子部件，其中，间隙的尺寸通过弯曲地形成内部电极的内部电极边缘而控制，所述内部电极被彼此相邻地设置在各个介电层上且在内部电极之间具有所述间隙，以改进BDV特性。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，通过层压具有0.7μm或者更小的平均厚度的介电层形成；至少两个外部电极，形成在陶瓷本体的外表面上；以及内部电极，印刷在介电层上以便被印刷在单个介电层上并且因此在内部电极之间具有间隙，内部电极构成至少两个内部电极层叠部分，在一个内部电极层叠部分的内部电极与邻近所述一个内部电极层叠部分的另一个内部电极层叠部分的内部电极之间的间隙通过彼此相邻的具有弯曲的内部电极边缘定义；当用Gmin表示位于彼此相邻的内部电极边缘之间的最窄间隙时，满足10μm≤Gmin≤60μm，以及当用Wa表示内部电极的中心部分的宽度、以及用Wb表示内部电极的轮廓的端部部分的宽度时，满足1.1≤Wa/Wb≤1.35。

这里，当用Ms表示在内部电极的内部电极边缘和陶瓷本体的与该内部电极边缘相邻的一个端部表面之间的边沿部分时，可满足Gmin≤Ms。

这里，Wa可以是内部电极的最宽宽度，并且Wb可以是内部电极的最窄宽度。

这里，在内部电极层叠部分中的至少一个中，在其之间具有介电层的并且在其层叠方向上彼此相邻的内部电极之间，一个内部电极可包括被引出到陶瓷本体的一个侧表面的引线，并且另一个内部电极可包括被引出到陶瓷本体的另一个侧表面的引线。

陶瓷本体的长度和宽度可分别为0.9±0.15mm和0.6±0.15mm、或者1.37±0.15mm和1.0±0.15mm。

在其之间具有介电层的并且在其层叠方向上彼此面对的内部电极的拐角部分可相互不重叠。

内部电极的轮廓可朝向内部电极的中心部分更凸出。

根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，包括具有0.7μm或者更小的平均厚度的介电层；外部电极，形成在陶瓷本体的外表面上；以及内部电极，在单个介电层上彼此相邻并且在内部电极之间具有间隙，其中，当用Gmin表示位于彼此相邻的内部电极的内部电极边缘之间的最窄间隙时，满足10μm≤Gmin≤60μm。

内部电极的内部电极边缘可形成为使得间隙在内部电极的宽度方向上朝向内部电极的中心部分更窄。

这里，当用Wa表示内部电极的中心部分的宽度、以及用Wb表示内部电极的轮廓的端部部分的宽度时，可满足1.1≤Wa/Wb≤1.35。