[发明专利]介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年9月28日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请NO.10-2012-0108744的优先权，其公开内容包括在此以供参考。

技术领域

本发明涉及具有优异介电特性和电特性的介电组合物（dielectric composition），以及使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件。

背景技术

钙钛矿粉末（铁电陶瓷材料）已经用作电子部件（如多层陶瓷电容器（MLCC）、陶瓷滤波器、压电元件、铁电存储器、热敏电阻器、可变电阻器等）的原材料。

钛酸钡（BaTiO₃）是具有钙钛矿结构的高介电材料，并已经用作多层陶瓷电容器的介电材料。

目前，随着电子部件的纤薄性、紧凑性、高电容、高可靠性等趋势，要求铁电颗粒具有小尺寸以及优异的介电常数和可靠性。

如果作为介电层主要成分的钛酸钡粉末的颗粒直径大，则会增加介电层的表面粗糙度，且因此，会增加短路比且绝缘电阻可能有缺陷。

因此，作为介电层的主要成分，要求钛酸钡粉末是精细颗粒化的。

然而，随着钛酸钡粉末被精细颗粒化，且多层陶瓷电子部件的介电层更薄，可能发生电容减小、短路缺陷、可靠性缺陷等等。

为此，还需要开发确保介电层中的介电常数且具有优异可靠性的多层陶瓷电子部件。

【现有技术文献】

（专利文献1）日本专利公开号No.2008-239407

发明内容

本发明的一个方面提供具有优异介电特性和电气特性的介电组合物，和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件。

根据本发明的一个方面，提供一种介电组合物，其包括：具有由ABO₃表示的钙钛矿结构的介电颗粒，其中当沿从介电颗粒的中心到颗粒边界的方向上画出虚线（imaginary line，假想线）时，基于100at%（at%，原子百分比）的B-位离子，从介电颗粒的中心开始与介电颗粒的0.75至0.95%相对应的区域中的稀土元素含量为0.5至2.5at%。

从介电颗粒的中心开始与介电颗粒的0.75至0.95%相对应的区域中的稀土元素含量可为介电颗粒的中心中的稀土元素含量的0.05至2.0倍。

这里A可包括从钡（Ba）、锶（Sr）、铅（Pb）、以及钙（Ca）组成的组中选择的一种或多种。

这里B可包括从钛（Ti）和锆（Zr）组成的组中选择的一种或多种。

稀土元素可包括三价离子。

稀土元素可包括从由钪（Sc）、钇（Y）、镧（La）、锕（Ac）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）和钌（Ru）组成的组中选择的一种或多种。

该介电颗粒可包括从Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010）,(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010,0≤x≤0.10,0<y≤0.20）、和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010,x≤0.10）；以及其中溶解有一种或多种稀土元素的Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010）,(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010,0≤x≤0.10,0<y≤0.20）、和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010,x≤0.10）组成的组中选择的一种或多种。