[发明专利]太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包含半导体层，所述半导体层具有：前表面、从所述前表面延伸并进入所述半导体层的第一掺杂域、后表面、在至少一部分所述后表面之上的反射涂层、沿着至少一部分所述后表面的第二掺杂域、第一电互连件以及第二电互连件；

其中从所述前表面延伸的所述第一掺杂域的部分包含掺杂的硅、掺杂的锗或合金或其组合；以及其中所述第一电互连件与所述第一掺杂域接触且所述第二电互连件与所述第二掺杂域接触。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其进一步包含与所述前表面接触的介电层，且其中所述第一掺杂域延伸进所述介电层的窗口。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域包含n型掺杂剂。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域包含选自由如下组成的群组的掺杂剂：P、As、Sb及其组合。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其中在延伸进入所述半导体层的第一掺杂域部分中的至少约95原子百分比的掺杂剂在所述前表面的约100nm内。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域包含选自由如下组成的群组的p型掺杂剂：B、Al、Ga、In及其组合。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域具有浓度为约5.0x10¹⁸至约5x10¹⁹的原子每立方厘米的掺杂剂。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述半导体层的厚度为约5微米至约100微米。

9.如权利要求2所述的太阳能电池，其中与所述前表面接触的所述介电层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其进一步包括与所述前表面和多个掺杂域接触的介电层，所述多个掺杂域延伸进入所述介电层的窗口。

11.如权利要求10所述的太阳能电池，其中穿过所述介电层的开口的平均直径为约5微米至约100微米。

12.如权利要求10所述的太阳能电池，其中穿过所述介电层的开口的间隔为约5微米至约100微米。

13.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域包含n型掺杂剂，且其中所述半导体层包含掺杂有p型掺杂剂的经掺杂半导体层。

14.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二掺杂域包含p型掺杂剂且所述第一掺杂域包含n型掺杂剂。

15.如权利要求1所述的太阳能电池，其进一步包括与所述后表面接触的第二介电层，且其中所述第二掺杂域延伸进所述第二介电层的窗口。

16.如权利要求15所述的太阳能电池，其中穿过所述介电层的开口的平均直径为约5微米至约100微米。

17.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂域或所述第二掺杂域具有浓度为约5.0x10¹⁸至约5x10¹⁹的原子每立方厘米的掺杂剂。