[发明专利]热电转换装置及选择性吸收膜

权利要求书

1.一种热电转换装置，包括：

至少一第一选择性吸收膜，用以非接触地吸收一预设限制波段的热辐射；

一冷端基板；

至少一第一热电元件对，配置于该第一选择性吸收膜与该冷端基板之间，该第一热电元件对包括一第一N型热电元件以及一第一P型热电元件；

一第一导电基板，配置于该冷端基板与该第一N型热电元件之间；以及

一第二导电基板，配置于该冷端基板与该第一P型热电元件之间，

其中，该第一热电元件对反应于该第一选择性吸收膜与该冷端基板之间的温差而产生一电流以进行发电。

2.如权利要求1的热电转换装置，其特征在于，更包括：

一第二选择性吸收膜；

一第二热电元件对，配置于该第二选择性吸收膜与该冷端基板之间，该第二热电元件对包括一第二N型热电元件以及一第二P型热电元件；以及

一第三导电基板，配置于该第二N型热电元件与该冷端基板之间，

其中，该第二导电基板更配置于该第二P型热电元件与该冷端基板之间。

3.如权利要求1的热电转换装置，其特征在于，该第一选择性吸收膜包括：

一反射基板；

一陶瓷金属膜，包括：

一第一陶瓷金属复合膜且该第一陶瓷金属复合膜配置在该反射基板上，该第一陶瓷金属复合膜的金属体积分数范围落在10%至50%之间，且该第一陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至250nm之间；以及

一第二陶瓷金属复合膜，配置于该第一陶瓷金属复合膜上，该第二陶瓷金属复合膜的金属体积分数范围落在5%至20%之间，且该第二陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至250nm之间；以及

一抗反射层，配置于该第二陶瓷金属复合膜上。

4.如权利要求3的热电转换装置，其特征在于，该陶瓷金属膜的金属靶材的材质包括钛、铝、不锈钢、铜、钨、镍或铬。

5.如权利要求3的热电转换装置，其特征在于，该抗反射层的材质包括氮化金属或氮氧化金属。

6.如权利要求5的热电转换装置，其特征在于，该抗反射层的金属靶材的材质与该陶瓷金属膜的金属靶材的材质相同。

7.如权利要求3的热电转换装置，其特征在于，该反射基板的材质包括铝、铜、钛或不锈钢。

8.如权利要求2的热电转换装置，其特征在于，更包括：

一散热装置，用以对该冷端基板进行散热作业；以及

一电力系统，电性连接该第一导电基板与该第三导电基板，用以反应于该电流而进行发电。

9.一种选择性吸收膜，包括：

一反射基板；

一陶瓷金属膜，包括：

一第一陶瓷金属复合膜，该第一陶瓷金属复合膜的金属体积分数范围落在10%至50%之间，且该第一陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至250nm之间且该第一陶瓷金属复合膜配置在该反射基板上；以及

一第二陶瓷金属复合膜，配置于该第一陶瓷金属复合膜上，该第二陶瓷金属复合膜的金属体积分数范围落在5%至20%之间，且该第二陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至250nm之间；以及

一抗反射层，配置于该第二陶瓷金属复合膜上，

其中，该选择性吸收膜用以非接触地吸收一预设限制波段的热辐射。

10.如权利要求9的选择性吸收膜，其特征在于，该陶瓷金属膜的金属靶材的材质包括钛、铝、不锈钢、铜、钨、镍或铬。

11.如权利要求9的选择性吸收膜，其特征在于，该陶瓷金属膜可为钛/氮化钛膜、镍/氧化镍膜、铬/氧化铬膜或钨/氧化钨膜。

12.如权利要求11的选择性吸收膜，其特征在于，该陶瓷金属膜为钛/氮化钛膜，该第一陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至100nm之间，而该第二陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至100nm之间。

13.如权利要求11的选择性吸收膜，其特征在于，该陶瓷金属膜为镍/氧化镍膜，该第一陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至200nm之间，而该第二陶瓷金属复合膜的膜厚范围落在50nm至200nm之间。