[发明专利]一种晶硅MWT太阳能电池无效
申请号: | 201310014390.3 | 申请日: | 2013-01-15 |
公开(公告)号: | CN103094369A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 李吉飞;房江明 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能发电领域,特别是一种晶硅MWT太阳能电池
背景技术
面对越来越严重的全球能源危机以及气候环保问题,作为清洁能源的晶硅太阳能光伏发电成为必然选择。对于太阳电池来说最重要的参数是转换效率,提高太阳能电池效率的方案很多,目前主要由以下几类:背面发射极结构(如IBC电池)、发射区穿通电池(EWT电池)、点接触电池(PCC电池)、金属穿孔缠绕(MWT)或者金属环绕电池(MWA)等;其中以MWT太阳能电池制作流程相对比较简单,相对于传统晶体硅太阳能电池的制作流程只增加了额外的激光打孔和孔绝缘两道工艺步骤,但组件技术要求高,需要对背面不同极性电极点和金属箔之间精确对准,技术难度大,实现手段复杂,无法手工进行,故成本很高,成为限制其发展的一个重要技术难点。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于实现晶硅MWT太阳能电池的电极的互连与传统太阳能组件焊接工艺兼容,降低MWT电池组件封装成本,加速MWT电池的产业化,提供一种晶硅MWT太阳能电池。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶硅MWT太阳能电池,包括电池正面导电栅线、导电通孔、背面正电极栅线、背面负电极栅线,正面导电栅线通过太阳能电池的导电通孔连接至背面负电极栅线,背面负电极栅线的一端印刷有折弯触角栅线,触角栅线在互连方向上与背面正电极栅线位 于一条直线上。
所述背面正电极栅线为与背面负电极栅线平行排列。所述导电通孔的截图形状为圆柱形或圆台形,在单个方向上等距排列于电池的正表面,排列形式为3×3、3×4、3×5、3×6、4×4、4×5、4×6中的一种。
正面导电栅线的图案由若干个相同的子图案构成,子图案的边界与相邻的子图案边界相连,形成闭合图案。所述子图案包括包围所有栅线的边框栅线、位于子图案的中心位置的导电通孔、主干线、第二层支线和第三层支线,第二层支线将多条第三层支线汇流到主干线,主干线将多条第二层支线汇流到导电通孔。
优选的,所述正电极栅线沿着电池片中心线对称分布。
优选的,所述触角栅线向正电极栅线方向直角弯折,再沿线性正电极方向向外直角弯折,弯折长度为2-20mm。
优选的,所述背面负电极栅线周围设置有隔离槽,所述隔离槽距负电极栅线的相近边缘距离为0.1-4mm,槽宽为0.1-3mm。
优选的,所述正面导电栅线的宽度为30-90μm,栅线的最外边框距电池片边缘1-2mm,所述背面正电极栅线和负电极栅线的宽度为1-3mm,背面正电极栅线和线性负电极栅线的间距为1-5mm。
优选的,所述导电通孔的孔径大小为0.05-0.9mm;
本发明实现的有益效果在于:通过在背面负电极栅线的一端印刷有折弯触角栅线,触角栅线在互连方向上与背面正电极栅线位于一条直线上,从而实现了在进行电池片串焊时,可以使用单根直线焊带轻松实现从电池片的背面正电 极焊接到背面负电极,或从电池片的背面负电极焊接到背面正电极,降低MWT电池组件封装成本,加速MWT电池的产业化。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的MWT太阳能电池正面导电栅线的实施例的图案;
图2是本发明实施例的MWT太阳能电池背面导电栅线的图案;
图3~5是本发明实施例的MWT太阳能电池正面导电栅线的子图案;
图6是本发明实施例的MWT太阳能电池背面负电极折弯触角栅线的局部放大图;
附图中:1正面导电栅线,2导电通孔,3背面正电极栅线,4背面负电极栅线,5负电极触角栅线,6隔离槽,7第二层支线,8第三层支线,9主干线,10边框栅线。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的