[发明专利]一种超晶格波导半导体激光器结构

权利要求书

1.本方法的主要目的在于提供一种超晶格波导半导体激光器的结构，包括：

一N型GaAs衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；

一N型GaAs缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，主要用以调节晶格适配度；

一N型下限制层，为N-In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料，该N型下限制层制作在缓冲层上，用来限制光场向下的泄露；

一N型下波导层，为N-In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料，该下波导层制作在下限制层上，用来增加对光场模式的限制；

一量子阱层，该量子阱有源区材料为较成熟的In_xGa_1-xAs该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；

一P型上超晶格波导层，为P-Al_xGa1_-xAs材料，该上超晶格波导层制作在量子阱层上，用于调制波导的折射率，实现光场的最优分布；

一P型上波导层，为P-Al_xGa_1-xAs材料，该P型上波导层制作在上超晶格波导层上，用来增加对光场模式的限制；

一P型上限制层，为P-Al_xGa_1-xAs材料，该P型上波导层制作在上波导层上，用来限制光场向上的泄露；

一过渡层，为P-GaAs材料，该过渡层制作在P型上限制层上；

一电极接触层，为P一GaAs材料，该电极接触层制作在过渡层上，用来与金属形成电极。

2.根据权利要求1所述的一种超晶格波导半导体激光器的结构，其中P型上超晶格波导结构包括：两种不同组分的Al_xGa_1-xAs,其中一种Al_xGa_1-xAs的Al组分比另一种的高，两种组分的Al_xGa_1-xAs的厚度都是纳米级别，相互交替生长。

3.根据权利要求2所述的一种超晶格波导半导体激光器的结构，其中P型上超晶格波导结构的材料Al_xGa_1-xAs，较低Al组分的x为0.1-0.3，较高Al组分的x为0.3-0.6。

4.根据权利要求3所述的一种超晶格波导半导体激光器的结构其中P型上超晶格波导结构,两种不同组分的Al_xGa_1-xAs材料的厚度在几纳米到几十纳米之间。

5.根据权利要求1所述的一种超晶格波导半导体激光器的结构，其中所述的P型上超晶格波导结构，两种不同组分的Al_xGa_1-xAs相互交替生长的组数数量为15组-20组。