[发明专利]一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法

权利要求书

1.一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，包括以下步骤：

步骤1：沉积金属浸润层；

采用溅射或蒸发的方法分别在碳纳米管阵列自由端和电子器件上需要集成散热结构的位置沉积一层1～10微米厚的金属，作为浸润层；

步骤2：制作焊锡层；

将焊锡条铺于碳纳米管阵列自由端沉积好的金属浸润层上方，在230～300℃下加热1～2分钟，待焊锡熔化并覆盖整个金属浸润层后，冷却至室温，形成焊锡层；

步骤3：形成散热结构；

固定碳纳米管阵列的生长基板，沿碳纳米管阵列表面焊锡层向上施加拉力，使得碳纳米管阵列与其自身的生长基板分离，形成单独的碳纳米管散热结构；

步骤4：集成散热装置；

将碳纳米管散热结构的焊锡层与步骤1所得的电子器件上沉积好的金属浸润层相接触，在230～350℃下加热1～2分钟，使得焊锡层与电子器件上的金属浸润层牢固结合；然后冷却至室温，实现碳纳米管散热结构与电子器件的集成。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，其特征在于，步骤1所述金属为Ni或Cr。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，其特征在于，步骤2所述的焊锡条为Sn60/Pb40锡铅合金条。