[发明专利]MRAM存储单元和用于使用具有减小的场电流的热辅助写操作向MRAM存储单元写入的方法有效
| 申请号： | 201310015248.0 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103208303B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | I.L.普雷比亚努;R.苏萨 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,卢江 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 存储 单元 用于 使用 具有 减小 电流 辅助 操作 写入 方法 | ||
【说明书】：
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