[发明专利]电熔丝有效
申请号: | 201310015496.5 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103219320B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 有村一义;尾野彰彦;石田昌司 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 李晓冬 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电熔丝 | ||
1.一种电熔丝,包括:
被形成在绝缘材料的上表面上的导电材料,所述导电材料包括:
接线部分,以及
第一和第二端子部分,该第一和第二端子部分被布置在所述接线部分的两端,以使得所述接线部分位于所述第一和第二端子部分之间,并且其中所述第一端子部分、所述接线部分和所述第二端子部分沿第一方向被排列,并且在与所述第一方向垂直的第二方向上,所述第一和第二端子部分分别具有比所述接线部分的宽度更大的宽度;以及
薄膜,该薄膜包括暴露所述第一端子部分和所述第二端子部分之间的区域的开口,其中所述薄膜被形成在所述接线部分的至少一部分上并且具有张应力。
2.根据权利要求1所述的电熔丝,其中所述开口暴露所述接线部分的一部分并且在所述第二方向上具有比所述接线部分的宽度更大的宽度。
3.根据权利要求1所述的电熔丝,其中所述开口暴露存在于所述第一端子部分与所述第二端子部分之间并且不属于所述接线部分的区域。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电熔丝,其中所述薄膜是氮化硅薄膜。
5.一种电熔丝,包括:
被形成在绝缘材料的上表面上的导电材料,所述导电材料包括:
接线部分,以及
第一和第二端子部分,该第一和第二端子部分被形成在所述接线部分的两端,以使得在第一方向上所述接线部分位于所述第一和第二端子部分之间,其中在与所述第一方向垂直的第二方向上,所述第一和第二端子部分分别具有比所述接线部分的宽度更大的宽度;以及
覆盖膜,该覆盖膜被形成在所述接线部分的至少一部分上并且具有张应力。
6.根据权利要求5所述的电熔丝,还包括被形成在所述第一和第二端子部分上的保护膜,其中所述覆盖膜被耦接到所述保护膜。
7.根据权利要求6所述的电熔丝,其中
所述保护膜包括与包括所述接线部分的矩形区域相对应的开口,并且
所述覆盖膜被形成在所述开口内。
8.根据权利要求7所述的电熔丝,其中所述覆盖膜包括被耦接到所述保护膜的一部分的末端部分。
9.根据权利要求6所述的电熔丝,其中所述覆盖膜被形成为具有与所述接线部分相同的形状以覆盖所述接线部分的整个上表面,并且包括在所述第一方向上被耦接到所述保护膜的两个末端部分。
10.根据权利要求6所述的电熔丝,其中所述覆盖膜被形成为覆盖所述接线部分的一部分,并且包括在所述第二方向上被耦接到所述保护膜的两个末端部分。
11.根据权利要求5至10中的任一项所述的电熔丝,其中所述覆盖膜是氮化硅薄膜。
12.根据权利要求6至10中的任一项所述的电熔丝,其中所述保护膜是氮化硅薄膜。
13.根据权利要求6至10中的任一项所述的电熔丝,其中所述覆盖膜和所述保护膜是一个整体形成的图案。
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