[发明专利]功率放大器电路和控制方法有效
申请号: | 201310015594.9 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103219956A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 慕斯塔法·阿卡;马克·皮特·范德海登 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 电路 控制 方法 | ||
1.一种功率放大器电路,包括:
输出晶体管(10);
级联晶体管(30’),所述输出晶体管和所述级联晶体管串联连接在供电线之间;
第一驱动电路(32),用于根据输入信号来控制施加至所述级联晶体管的栅极的信号;
第二驱动电路(40),用于根据所述输入信号来控制施加至所述输出晶体管的栅极的信号;
其中所述第一和第二驱动电路施加同时转变的栅极控制信号。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述输出晶体管(10)包括n-型GaN晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的电路,其中所述级联晶体管(30’)包括NMOS晶体管。
4.根据任一前述权利要求所述的电路,其中所述第一驱动电路(32)包括第一CMOS反相电路,用于在第一和第二电压轨之间提供输出。
5.根据权利要求4所述的电路,其中所述第一CMOS反相电路(32)的第一和第二电压轨包括2V和3V之间的值以及0V与.
6.根据权利要求5所述的电路,其中所述第一CMOS反相电路(32)的第一和第二电压轨包括0V和约2.5V。
7.根据任一前述权利要求所述的电路,其中所述第二驱动电路(40)包括第二CMOS反相电路,用于在第三和第四电压轨之间提供输出。
8.根据权利要求7所述的电路,其中所述第二CMOS反相电路(40)的第三和第四电压轨包括-2V和-3V之间的值以及0V。
9.根据权利要求8所述的电路,其中所述第二CMOS反相电路(40)的第一和第二电压轨包括0V和约-2.5V。
10.根据任一前述权利要求所述的电路,还包括与输出晶体管(10)和级联晶体管(30’)串联的电感器(12),并且所述电感器、输出晶体管和所述级联晶体管串联在供电线之间。
11.一种控制级联放大器电路的方法,所述级联放大器电路包括输出晶体管(10)和级联晶体管(30’),所述输出晶体管和所述级联晶体管串联在供电线之间,所述方法包括:
根据输入信号控制施加至级联晶体管(30’)的栅极的信号;
根据所述输入信号控制施加至所述输出晶体管(10)的栅极的信号;
其中控制第一和第二驱动电路包括施加同时转变的栅极控制信号,从而限制当所述级联晶体管截止时所述级联晶体管两端的漏极-源极电压。
12.根据权利要求11所述的方法,其中控制施加至所述级联晶体管(30’)栅极的信号包括操作第一CMOS反相电路(32)从而在第一和第二电压轨之间提供输出。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一CMOS反相电路的第一和第二电压轨包括2V和3V之间的值以及0V。
14.根据权利要求11所述的方法,其中控制施加至所述输出晶体管栅极的信号包括操作第二CMOS反相电路(40)用于在第一和第二电压轨之间提供输出。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述第二CMOS反相电路(40)的第一和第二电压轨包括-2V和-3V之间的值以及0V。
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