[发明专利]正渗透驱动溶质、正渗透水处理设备和水处理正渗透方法有效
申请号: | 201310016886.4 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN103204788A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 金载恩;郑普卿;韩圣洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C07C323/52 | 分类号: | C07C323/52;C07C319/18;C02F1/44;B01D61/00;B01D61/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 渗透 驱动 溶质 水处理设备 水处理 方法 | ||
1.正渗透用驱动溶质,所述驱动溶质包括:
具有拥有末端的主链的温度敏感的低聚物化合物,所述温度敏感的低聚物化合物包含包括温度敏感部分的结构单元,所述温度敏感的低聚物化合物进一步包含在主链的末端处的亲水性官能团,所述温度敏感部分为由以下化学式1表示的第一一价取代基、由以下化学式2表示的第二一价取代基、或者由以下化学式3表示的二价取代基,
[化学式1]
*-C(=O)N(R1)(R2)
R1和R2各自独立地为氢、或线型或支化的C3-C5烷基,条件是R1和R2的至少一个不为氢,
[化学式2]
R3为C3-C5亚烷基,和
[化学式3]
R4为线型或支化的C3-C5烷基。
2.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述亲水性官能团包括孤对电子。
3.权利要求2的正渗透用驱动溶质,进一步包括:
与所述亲水性官能团的孤对电子结合的盐化合物。
4.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述亲水性官能团为-COOH、-NH2、-SO3H、或-PO3H2。
5.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物具有300-3000的数均分子量。
6.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物的结构单元选自以下化学式4、化学式5、化学式6、及其组合:
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
其中,在化学式4-6中,
R5和R6各自独立地为线型或支化的C3-C5烷基,和
R7为C3-C5亚烷基。
7.权利要求6的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物包括n个由以上化学式4、化学式5、化学式6、或其组合表示的结构单元,其中n为2-30的整数。
8.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物的结构单元得自选自如下的单体:N-异丙基丙烯酰胺(NIPAam)、N,N-二乙基丙烯酰胺(DEAAM)、N-乙烯基己内酰胺(VCL)、或其组合。
9.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物具有在低于最低临界溶解温度(LCST)的温度下大于或等于100g/L的在水中的第一溶解度,和在大于或等于最低临界溶解温度(LCST)的温度下小于或等于1g/L的在水中的第二溶解度。
10.权利要求9的正渗透用驱动溶质,其中所述最低临界溶解温度(LCST)为10-50℃。
11.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中所述温度敏感的低聚物化合物包括侧链,其配置为在低于最低临界溶解温度(LCST)的温度下与水形成第一氢键,和配置为在大于或等于最低临界溶解温度(LCST)的温度下在所述侧链之间形成第二氢键以可逆地自附聚。
12.权利要求1的正渗透用驱动溶质,其中在大于或等于最低临界溶解温度(LCST)的温度下,所述温度敏感的低聚物化合物具有100nm-10000nm的水力半径。
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