[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其中限定有产品区和包围所述产品区的划片区；

第一绝缘膜，形成在所述衬底上方；

第一金属膜，位于所述第一绝缘膜中，所述第一金属膜以包围所述产品区的方式被布置在所述划片区内；

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述第一金属膜上；

第一沟槽，以包围所述产品区的方式被布置为比所述第一金属膜更靠内侧，并从所述第二绝缘膜的顶面到达深于所述第一金属膜的顶面的位置；以及

第二沟槽，以包围所述第一金属膜的方式被布置为比所述第一金属膜更靠外侧，并从所述第二绝缘膜的顶面到达深于所述第一金属膜的所述顶面的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个布线层，布置在所述衬底和所述第一绝缘层之间；以及

导电部件，以包围所述产品区的方式布置在所述多个布线层中，并在深度方向上从所述衬底的表面到达所述第一金属膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三金属膜，位于所述第一绝缘膜中，以包围所述第二沟槽的方式被布置为比所述第二沟槽更靠外侧，且形成在所述划片区内。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：第三沟槽，以包围所述第三金属膜的方式被布置为比所述第三金属膜更靠外侧，并从所述第二绝缘膜的所述顶面到达深于所述第三金属膜的顶面的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：第四沟槽，以包围所述第二沟槽的方式布置在所述第二沟槽和所述第三金属膜之间，并从所述第二绝缘膜的顶面到达深于所述第三金属膜的所述顶面的位置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二金属膜，形成在位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的区域中的所述第一绝缘膜上，且由不同于所述第一金属膜的材料形成。

7.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上方形成第一绝缘膜，所述衬底中限定有产品区和包围所述产品区的划片区；

以包围所述产品区的方式在位于所述划片区内的所述第一绝缘层中形成第一金属膜；

在所述第一金属膜和所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜以包围所述产品区的方式布置在所述划片区内，所述第二金属膜在内周侧上的边缘的位置比所述第一金属膜更靠内侧，并且所述第二金属膜在外周侧上的边缘的位置比所述第一金属膜更靠外侧；

在所述第二金属膜和所述第一绝缘膜上形成绝缘保护膜；

在所述保护膜上形成包括第一开口部的掩模图案，其中所述第一开口部以包围所述产品区的方式布置在所述划片区内，所述第一开口部在内周侧上的边缘的位置比所述第二金属膜更靠内侧，并且所述第一开口部在外周侧上的边缘的位置比所述第二金属膜更靠外侧；以及

通过使用所述掩模图案作为掩模来蚀刻所述保护膜，以暴露出所述第二金属膜，并且接续通过使用第二金属膜作为掩模将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜蚀刻得位置深于所述第一金属膜的顶面的位置，由此以在所述第二金属膜的两侧形成沟槽。