[发明专利]使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片

权利要求书

1.一种用于处理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于处理的硅光子晶片，其包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底，其中所述薄掩埋氧化物层位于所述有源硅光子层和所述硅衬底之间；

接收包括有源电层的电互补金属氧化物半导体晶片；

将所述硅光子晶片的所述有源硅光子层倒装芯片接合到所述电互补金属氧化物半导体晶片的所述有源电层；以及

从所述硅光子晶片去除所述硅衬底以暴露所述薄掩埋氧化物层的背侧表面。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

将低光学折射率衬背晶片添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。

3.根据权利要求2的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底晶片。

4.根据权利要求2的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述低光学折射率衬背晶片是硅衬底晶片。

5.根据权利要求4的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述硅衬底晶片包括厚氧化物层，其中所述厚氧化物层附着到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层。

6.根据权利要求5的方法，其中包括在所述硅衬底晶片上的所述厚氧化物层的厚度大于或者等于一微米。

7.根据权利要求1的方法，其中所述薄掩埋氧化物层的厚度小于或者等于500纳米。

8.一种用于处理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于处理的硅光子晶片，其包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底，其中所述薄掩埋氧化物层位于所述有源硅光子层和所述硅衬底之间；

将所述硅光子晶片的所述有源硅光子层接合到临时玻璃处理晶片；

从所述硅光子晶片去除所述硅衬底以暴露所述薄掩埋氧化物层的背侧表面；

将低光学折射率衬背晶片添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面；以及

在将所述低光学折射率衬背晶片添加到所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧之后，从所述临时玻璃处理晶片脱离所述硅光子晶片的所述有源硅光子层。

9.根据权利要求8的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底晶片。

10.根据权利要求8的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述低光学折射率衬背晶片是硅衬底晶片。

11.根据权利要求10的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层的所述暴露的背侧表面的所述硅衬底晶片包括厚氧化物层，其中所述厚氧化物层附着到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物层。

12.根据权利要求11的方法，其中包括在所述硅衬底晶片上的所述厚氧化物层的厚度大于或者等于一微米。

13.根据权利要求8的方法，其中所述薄掩埋氧化物层的厚度小于或者等于500纳米。

14.一种用于处理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于处理的所述硅光子晶片，其包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底，其中所述薄掩埋氧化物层位于所述有源硅光子层和所述硅衬底之间；

将所述硅光子晶片的所述有源硅光子层接合到临时玻璃处理晶片；

在位于所述硅光子晶片的所述有源硅光子层内的光子器件之下的选择的位置处的所述硅衬底中蚀刻背侧沟槽，以暴露在所述选择的位置处的所述薄掩埋氧化物层的背侧表面；

将低光学折射率衬背晶片添加到所述硅光子晶片的蚀刻的硅衬底；以及

在将所述低光学折射率衬背晶片添加到所述蚀刻的硅衬底之后，从所述临时玻璃处理晶片脱离所述硅光子晶片的所述有源硅光子层。

15.根据权利要求14的方法，其中所述电器件位于所述硅光子晶片的没有通过所述蚀刻步骤去除所述硅衬底的位置处的所述有源硅光子层中。

16.根据权利要求14的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述蚀刻的硅衬底的所述低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底晶片。