[发明专利]扇出晶圆级封装结构在审

专利信息
申请号: 201310018216.6 申请日: 2013-01-17
公开(公告)号: CN103779235A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 林俊成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 扇出晶圆级 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种用于形成封装结构的方法,包括:

在载体上方施加管芯,所述管芯具有多个安装件;

在所述载体上提供一个或多个通孔;

在所述载体上方和所述通孔周围形成模制衬底;

减少所述模制衬底与所述载体相对的第一侧并在所述模制衬底与所述载体相对的第一侧处露出所述一个或多个通孔;

在所述模制衬底的第一侧上形成再分布层(RDL),所述RDL具有多个RDL接触焊盘;以及

在所述模制衬底与第一侧相对的第二侧处露出所述一个或多个通孔。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模制衬底包括粘合层,所述管芯被施加至所述粘合层,并且所述模制衬底形成在所述粘合层上。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,在所述载体上提供所述一个或多个通孔包括将所述一个或多个通孔芯片施加于所述粘合层,每个通孔芯片都具有一个或多个通孔以及设置在所述通孔芯片中以隔开所述一个或多个通孔的至少一个介电层,在将通孔芯片施加于所述粘合层之前形成所述通孔芯片。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,减少所述模制衬底的所述第一侧进一步包括露出所述管芯上的所述多个安装件。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述RDL进一步包括形成接合间距大于所述管芯上的所述多个安装件的接合间距的所述RDL接触焊盘。

6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在所述模制衬底的所述第二侧处安装第二结构,所述第二结构具有设置在其上并与至少一个通孔电通信的至少一个管芯。

7.一种用于形成封装结构的方法,包括:

提供载体,在所述载体的第一侧上具有粘合层;

将管芯施加于所述粘合层,所述管芯具有多个安装件;

在所述粘合层上提供通孔;

在所述载体上方以及所述管芯和所述通孔周围形成模制衬底;

在所述模制衬底的第一侧上形成再分布层(RDL),所述RDL具有多个RDL接触焊盘以及至少一条导线;

将多个封装安装件施加于所述RDL接触焊盘;以及

在所述管芯上方和所述通孔上安装第二结构。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,提供所述通孔包括在所述粘合层上提供一个或多个通孔芯片,每个通孔芯片都包括至少一个通孔。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,提供所述一个或多个通孔芯片包括:在将所述一个或多个通孔芯片放置在所述粘合层上之前,形成独立于所述载体和所述粘合层并远离所述载体和所述粘合层的所述一个或多个通孔芯片。

10.一种封装件,包括:

模制衬底;

管芯,具有至少一个安装件,所述管芯至少部分地设置在所述模制衬底内;

至少一个通孔,设置在所述模制衬底内并具有位于所述模制衬底的第一侧处的第一端以及位于所述模制衬底与所述第一侧相对的第二侧处的第二端;以及

第一再分布层(RDL),形成在所述模制衬底的所述第一侧上,所述RDL具有多个RDL接触焊盘以及与所述RDL接触焊盘电接触的多条导线。

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