[发明专利]比较器以及张弛振荡器

权利要求书

1.一种比较器，包括：

一电压产生器，用以根据一固定电流提供一参考电压；

一缓冲单元，用以根据一第一输入信号以及一偏压信号而提供一输出信号；以及

一临界控制回路，用以根据一第二输入信号而提供所述偏压信号至所述缓冲单元，以便调整所述缓冲单元的一相变临界值，使所述相变临界值接近所述第二输入信号，

其中所述输出信号表示所述第一输入信号以及所述第二输入信号的一比较结果，且所述缓冲单元以及所述临界控制回路由所述参考电压提供电源。

2.如权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述缓冲单元包括：

一第一P型金氧半导体晶体管，耦接于所述参考电压以及一第一节点之间，具有一栅极用以接收所述第一输入信号；

一第一N型金氧半导体晶体管，耦接于一接地端，具有一栅极用以接收所述偏压信号；

一第二N型金氧半导体晶体管，耦接于所述第一N型金氧半导体晶体管以及所述第一节点之间，具有一栅极用以接收所述第一输入信号；

一第二P型金氧半导体晶体管，耦接于所述参考电压所述以及一第二节点之间，具有一栅极耦接于所述第一节点；

一第三N型金氧半导体晶体管，耦接于所述接地端，具有一栅极用以接收所述偏压信号；以及

一第四N型金氧半导体晶体管，耦接于所述第三N型金氧半导体晶体管以及所述第二节点之间，具有一栅极用以耦接所述第一节点，

其中所述第二节点的电压表示所述第一输入信号以及所述第二输入信号的所述比较结果。

3.如权利要求2所述的比较器，更包括：

一第一反相器，耦接于所述缓冲单元所述的第二节点；以及

一第二反相器，耦接于所述第一反相器，用以输出所述输出信号，

其中所述第一反相器以及所述第二反相器由所述参考电压提供电源。

4.如权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述临界控制回路包括：

一第三P型金氧半导体晶体管，耦接于所述参考电压所述以及一第三节点之间，具有一栅极用以接收所述第二输入信号；

一第五N型金氧半导体晶体管，耦接于一接地端，具有一栅极耦接于所述第三节点；以及

一第六N型金氧半导体晶体管，耦接于所述第三节点以及所述第五N型金氧半导体晶体管之间，具有一栅极用以接收所述第二输入信号，

其中所述偏压信号是所述第三节点之信号。

5.如权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述电压产生器包括：

一电流源，用以提供所述固定电流；以及

一反相器，耦接于所述电流源，具有一端点用以接收所述第二输入信号，

其中所述反相器由所述固定电流所偏压，并产生所述参考电压。

6.如权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述电压产生器包括：

一电流源，用以提供所述固定电流；

一第四P型金氧半导体晶体管，耦接于所述电流源，具有一栅极用以接收所述第二输入信号；

一第七N型金氧半导体晶体管，耦接于一接地端，具有一栅极用以接收所述第二输入信号；

一第八N型金氧半导体晶体管，耦接于所述第四P型金氧半导体晶体管以及所述第七N型金氧半导体晶体管之间，具有一栅极用以接收所述第二输入信号；以及

一放大器，具有一非反相输入端、一反相输入端以及一输出端，其中所述非反相输入端耦接于所述电流源及所述第四P型金氧半导体晶体管，以及所述输出端耦接于所述反相输入端，用以提供所述参考电压。

7.一种比较器，包括：

一缓冲单元，用以根据一第一输入信号以及一偏压信号而提供一输出信号；以及

一临界控制回路，用以根据一第二输入信号而提供所述偏压信号至所述缓冲单元，以便调整所述缓冲单元的一相变临界值，使所述相变临界值接近所述第二输入信号。