[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

真空容器；

第1高频电源，用于在所述真空容器内生成等离子体；

试样台，配置于所述真空容器内来载置试样；以及

第2高频电源，对所述试样台供给高频电力，

所述等离子体处理装置的特征在于：

所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个供给进行了时间调制的高频电力，控制所述时间调制的参数中的一个具有2个以上的不同的控制范围，所述控制范围中的一个是用于进行高精度的控制的控制范围。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述参数是占空比、重复频率、ON时间或者OFF时间中的至少某一个。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个具备A/D转换器和脉冲发生器，

所述A/D转换器分别在不同的定时接收所述2个以上的不同的控制范围，

所述脉冲发生器发生在通过控制范围切换信号从所述A/D转换器接收到的所述2个以上的不同的控制范围的各个中选择出的控制范围内控制的脉冲。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个是所述第2高频电源。

5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第1高频电源或者所述第2高频电源中的至少某一个具备与所述2个以上的不同的控制范围的数量相同的数量的高频电源。

6.一种等离子体处理方法，使用了等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：

真空容器；

第1高频电源，用于在所述真空容器内生成等离子体；

试样台，配置于所述真空容器内来载置试样；以及

第2高频电源，对所述试样台供给高频电力，

所述等离子体处理方法特征在于：

所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个供给进行了时间调制的高频电力，通过具有2个以上的不同的控制范围的参数来控制所述时间调制，所述控制范围的一个是用于进行高精度的控制的控制范围。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：未施加所述进行了时间调制的高频电力的期间是10～1000ms。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：未施加所述进行了时间调制的高频电力的期间大于等于反应生成物的滞留时间。

9.一种等离子体处理方法，在对具有Poly－Si膜、SiO₂膜、无定形碳膜、SiN膜以及BARC膜的试样供给进行了时间调制的高频电力的同时进行等离子体蚀刻，其特征在于：

重复频率具有需要高精度的控制的第一控制范围和无需高精度的控制的第二控制范围，

占空比具有需要高精度的控制的第三控制范围和无需高精度的控制的第四控制范围，

在所述第一控制范围以及所述第四控制范围内对所述SiN膜进行蚀刻，

在所述第二控制范围以及所述第四控制范围内对所述无定形碳膜进行蚀刻，

在所述第一控制范围以及所述第三控制范围内对所述SiO₂膜进行蚀刻，

在所述第一控制范围以及所述第三控制范围内对所述Poly－Si膜的一部分进行蚀刻。