[发明专利]进气系统及基片处理设备有效
申请号: | 201310018695.1 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN103943534B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 杨盟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 处理 设备 | ||
1.一种进气系统,包括与反应腔室相连通的进气口、进气管路以及至少一个气源,且不同气源的气体种类不同,其特征在于,
所述进气管路包括干路、干路阀门、支路和支路阀门,其中
所述干路连接在所述进气口和各个气源之间,用以将自所述气源输出的气体经由所述进气口输送至所述反应腔室中;
所述干路阀门设置于所述干路上,用于接通或断开所述干路;
所述支路的一端串接于所述干路中并位于所述干路阀门的上游,用于在干路阀门关闭时排出所述干路中的气体;
所述支路阀门设置于所述支路上,用于接通或断开所述支路;
所述气源包括至少一个载气气源和至少一个反应气体气源;
所述干路包括载气干路和反应气体干路,所述载气干路连接在所述进气口和各个载气气源之间,用以将自所述载气气源输出的载气经由所述进气口输送至所述反应腔室中;所述反应气体干路连接在所述进气口和各个反应气体气源之间,用以将自所述反应气体气源输出的反应气体经由所述进气口输送至所述反应腔室中。
2.根据权利要求1所述的进气系统,其特征在于,
所述干路阀门包括载气干路阀门和反应气体干路阀门,所述载气干路阀门和反应气体干路阀门对应设置于所述载气干路和反应气体干路上,用于接通或断开相应的干路;
所述支路包括反应气体支路,所述反应气体支路的一端串接于所述反应气体干路中并位于所述反应气体干路阀门的上游,用于在反应气体干路阀门关闭时排出所述反应气体干路中的反应气体;并且,在所述反应气体支路上设置有反应气体支路阀门,用于接通或断开所述反应气体支路。
3.根据权利要求2所述的进气系统,其特征在于,所述反应气体干路的数量为至少一条,且每条所述反应气体干路与反应气体气源中的至少一个连接;
所述反应气体干路阀门的数量与所述反应气体干路的数量相对应,且所述反应气体干路阀门一一对应地设置于所述反应气体干路上;
所述反应气体支路的数量与所述反应气体干路的数量相对应,且所述反应气体支路的一端一一对应地串接于所述反应气体干路中并位于所述反应气体干路阀门的上游。
4.根据权利要求2所述的进气系统,其特征在于,所述载气干路的数量为至少一条,且每条所述载气干路与载气气源中的至少一个连接;并且
所述载气干路阀门的数量与所述载气干路的数量相对应,且所述载气干路阀门一一对应地设置于所述载气干路上。
5.根据权利要求4所述的进气系统,其特征在于,所述支路还包括载气支路,所述载气支路的一端串接于所述载气干路中并位于所述载气干路阀门的上游,用于在载气干路阀门关闭时排出所述载气干路中的载气;并且
在所述载气支路上设置有载气支路阀门,用于接通或断开所述载气支路。
6.根据权利要求5所述的进气系统,其特征在于,所述载气支路的数量少于或等于所述载气干路的数量,每条所述载气支路的一端串接于所述载气干路中的其中一条,且位于所述载气干路阀门的上游,并且各个载体支路连接不同的载气干路。
7.根据权利要求2所述的进气系统,其特征在于,所述载气包括Ar和/或He。
8.根据权利要求2所述的进气系统,其特征在于,所述反应气体包括SF6、NF3、C4F8、O2和/或CHF3。
9.根据权利要求1-8任一所述的进气系统,其特征在于,所述进气系统还包括排气泵,所述排气泵分别与各个所述反应气体支路和载气支路的另一端连接,用以在相应的支路阀门开启时抽取支路以及与该支路串接的干路中的气体。
10.一种基片处理设备,其包括反应腔室以及用于向所述反应腔室输送气体的进气系统,其特征在于,所述进气系统采用权利要求1-9任意一项所述的进气系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造