[发明专利]样品分析元件及检测装置

权利要求书

1.一种样品分析元件，其特征在于，具备：

基板；

形成在所述基板的表面的金属膜；

形成在所述金属膜的表面的介电体表面；

多个金属纳米体群；以及

长条片，在相邻的所述多个金属纳米体群之间形成在所述介电体表面上，其中，

所述多个金属纳米体群包含分散在所述介电体表面的金属纳米体，

所述金属纳米体小于入射光的波长，

所述多个金属纳米体群以与所述入射光共振的间距排列在一个方向或多个方向，

所述长条片由不具有与所述入射光共振振动的自由电子的材料形成。

2.根据权利要求1所述的样品分析元件，其中，

所述长条片的高度高于所述金属纳米体的高度。

3.根据权利要求1所述的样品分析元件，其中，

所述金属纳米体群在所述一个方向以与所述入射光共振的间距排列，并且在与所述一个方向交叉的方向以与所述入射光共振的间距排列，在相邻的所述多个金属纳米体群之间在所述介电体表面上形成有所述长条片。

4.根据权利要求1所述的样品分析元件，其中，

所述金属纳米体是岛状的金属纳米粒子。

5.一种检测装置，其特征在于，具备：包含基板、形成在所述基板的表面的金属膜、形成在所述金属膜的表面的介电体表面、排列在所述介电体表面上的多个金属纳米体群的样品分析元件；朝向所述金属纳米体群发射光的光源；以及检测对应所述光的照射而从所述金属纳米体群放射的光的光检测器，其中，

所述多个金属纳米体群具备：介电体表面；多个金属纳米体群；以及长条片，在相邻的所述金属纳米体群之间形成在所述介电体表面上，其中，

所述多个金属纳米体群包含分散在所述介电体表面的金属纳米体，所述金属纳米体小于入射光的波长，并以比入射光的波长小的第1间距分散在介电体表面，

所述多个金属纳米体群以与所述入射光共振的间距排列在至少一个方向，

所述长条片由不具有与所述入射光共振振动的自由电子的材料形成。

6.根据权利要求5所述的检测装置，其中，

所述长条片的高度高于所述金属纳米体的高度。

7.根据权利要求5所述的检测装置，其中，

所述金属纳米体群在所述一个方向以与所述入射光共振的间距排列，并且在与所述一个方向交叉的方向以与所述入射光共振的间距排列，在相邻的所述多个金属纳米体群之间在所述介电体表面上形成有所述长条片。

8.根据权利要求5所述的检测装置，其中，

所述金属纳米体是岛状的金属纳米粒子。