[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，其中，该非易失性半导体存储装置具有：

半导体衬底；

元件分离区，其形成于所述半导体衬底的表面；

N型的阱区，其沿着所述半导体衬底的一个主面形成；

P型的源区以及漏区，其形成于所述阱区内；

栅氧化膜，其形成于所述P型的源区以及漏区之间的所述半导体衬底的表面；

浮栅，其设置在所述栅氧化膜上；

第二绝缘膜，其形成于所述浮栅的表面；

控制栅，其隔着所述第二绝缘膜与所述浮栅电容耦合；以及

电阻元件，其与所述控制栅连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

利用与所述控制栅连接的所述电阻元件，在写入时，使所述浮栅的电位与所述非易失性半导体存储装置的阈值电位之间产生固定的电位差。