[发明专利]二次电子发射用铍铜合金在审
| 申请号： | 201310018846.3 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103074514A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘楚明;朱戴博;韩坦;陈志永;万迎春;肖宏超 | 申请（专利权）人： | 中南大学;湖南有色金属控股集团有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 43200 | 代理人： | 胡燕瑜 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次电子 发射 铜合金 | ||
【权利要求书】：
1.二次电子发射用铍铜合金，其特征在于成分为：含铍：2.7-3.0wt.%，含镍：≤0.31wt.%，含铁：≤0.058wt.%，含铝：≤0.013wt.%, 含硅：≤0.028wt.%，含铅：≤0.0020wt.%, 含镉：≤0.0020wt.%, 含锌：≤0.0020wt.%，其它杂质元素之和≤0.43wt.%，余量为铜。
2.根据权利要求1所述的二次电子发射用铍铜合金，其特征在于：铍百分含量是2.7-2.8wt.%。
3.根据权利要求1或2所述二次电子发射用铍铜合金，其特征在于：在150~1000V内次级发射呈峰状特性，在500~600V达到峰值。
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