[发明专利]一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件无效
| 申请号： | 201310018911.2 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103107205A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 边继明;张志坤;秦福文;刘维峰;骆英民 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/861 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 衬底 氧化锌 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件，其特征在于，石墨衬底上的氧化锌基MOS器件是在石墨衬底材料表面上，依次生长绝缘层和半导体层 ZnO 薄膜，制得ZnO 基MOS器件。
2.根据权利要求1所述的石墨衬底上的氧化锌基MOS器件，其特征在于，所述绝缘层为SiO2、Ga2O3、ZnMgO、VO2或MgO。
3.根据权利要求1或2所述的石墨衬底上的氧化锌基MOS器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为50至300 nm。
4.根据权利要求1或2所述的石墨衬底上的氧化锌基MOS器件，其特征在于，所述ZnO 薄膜的厚度为50至300 nm。
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