[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化方法及装置无效
| 申请号： | 201310019456.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103178440A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王军营 | 申请（专利权）人： | 西安卓铭光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/22;C23C14/30 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 钝化 方法 装置 | ||
1.一种半导体激光器的腔面钝化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将半导体激光器巴条送入真空室，并进行抽真空；
往所述真空室中通入预定流量和比例的氢气和氮气混合气；
使所述氢气和氮气混合气形成等离子体，以利用所述等离子体对所述半导体激光器巴条的腔面进行离子钝化处理；
在离子钝化处理后的所述半导体激光器巴条的腔面上镀设一层阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢气和氮气混合气中氢气与氮气的比例在1:4至1:20之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体的离子能量在20ev至500ev之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子钝化处理的时间在30秒至30分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为非氧化物层。
6.一种半导体激光器的腔面钝化装置，其特征在于，包括：
真空室，用于容纳半导体激光器巴条，并进行抽真空；
气体源，用于往所述真空室中通入预定流量和比例的氢气和氮气混合气；
霍尔离子源，用于使所述氢气和氮气混合气形成等离子体，以对所述半导体激光器巴条的腔面进行离子钝化处理；
镀膜设备，用于在离子钝化处理后的所述半导体激光器巴条的腔面上镀设一层阻挡层。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述氢气和氮气混合气中的氢气与氮气比例在1:4至1:20之间。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述等离子体的离子能量在20ev至500ev之间。
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述离子钝化处理的时间在30秒至30分钟。
10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述阻挡层为非氧化物层。
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