[发明专利]一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种下转换晶体硅太阳能电池，其特征在于从下至上依次设有P⁺层、P层、N⁺层、SiN_x层和荧光薄膜层，在荧光薄膜层上设有电极，所述荧光薄膜层的原料组成为荧光粉和有机玻璃，所述荧光粉与有机玻璃的质量比为1∶10～20，所述荧光粉为单掺的Sr₂B₂O₅:xTb³⁺、Sr₂B₂O₅:xTb³⁺，xNa⁺；或共掺的Sr₂B₂O₅:x Tb³⁺，xEu³⁺、Sr₂B₂O₅:xTb³⁺，xEu³⁺，xNa⁺，其中，0.01<x<0.1。

2.如权利要求1所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；

2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；

3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。

3.如权利要求2所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述有机溶剂采用丙酮。

4.如权利要求2所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述静置的时间为20～40min。

5.如权利要求2所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述旋涂采用匀胶机旋涂，旋涂的转速为6000～10000r/min，旋涂的时间为20～30s。

6.如权利要求2所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述下转换荧光材料薄膜的厚度为5～20μm。

7.如权利要求2所述一种下转换晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤3）中，所述烧烤是将样品电池置于80～130°C干燥箱中烘烤5～15min。