[发明专利]一种半导体激光器以及窄带高反射率薄膜有效
| 申请号： | 201310019896.3 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103124045A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王军营 | 申请（专利权）人： | 西安卓铭光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 以及 窄带 反射率 薄膜 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的后腔面设置有窄带高反射率薄膜，其中所述窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80%的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述目标波长处于790nm至850nm之间。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述窄带高反射率薄膜的反射率在所述高反射率区域的长波长方向和短波长方向的5nm至20nm范围内下降至50%以下。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述窄带高反射率薄膜的反射光谱随温度的变化偏差不超过1nm。
5.一种窄带高反射率薄膜，其特征在于，所述窄带高反射率薄膜设置于半导体激光器的后腔面，其中所述窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80%的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm。
6.根据权利要求5所述的窄带高反射率薄膜，其特征在于，所述目标波长处于790nm至850nm之间。
7.根据权利要求5所述的窄带高反射率薄膜，其特征在于，所述窄带高反射率薄膜的反射率在所述高反射率区域的长波长方向和短波长方向的5nm至20nm范围内下降至50%以下。
8.根据权利要求5所述的窄带高反射率薄膜，其特征在于，所述窄带高反射率薄膜的反射光谱随温度的变化偏差不超过1nm。
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