[发明专利]一种半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料，且所述上波导层的材料组分为Al_x1Ga_y1In_0.49P，所述下波导层的材料组分为Al_x2Ga_y2In_0.49P，其中x1>x2，y1<y2，x1+y1+0.49=1，x2+y2+0.49=1，激光器激射波长范围为630nm～640nm。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底为<100>解理面偏向<111>解理面6度至15度的N型镓砷材料。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述缓冲层包括层叠设置于所述衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，其中所述第一缓冲层为N型镓砷材料，所述第二缓冲层为N型镓铟磷材料。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述N型下限制层和所述P型上限制层均为铝铟磷材料，二者的厚度范围为500nm至1000nm，且其中铝和铟的组分原子数比例为0.51:0.49。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述P型上限制层的厚度比所述N型下限制层厚度要厚。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述上波导层和所述下波导层的厚度范围为80nm至700nm。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述上波导层的厚度不同于所述下波导层的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述量子阱层为镓铟磷材料，光致发光谱为620nm～630nm。