[发明专利]TSV样品的制备方法在审
| 申请号： | 201310020372.6 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103940643A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 范春燕;韩耀梅;虞勤琴;朱敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tsv 样品 制备 方法 | ||
1.一种TSV样品的制备方法，其特征在于，包括：
从晶片上切割出包含TSV结构径向剖面的待处理样品；
将待处理样品载入FIB机台，且TSV结构径向剖面朝上并与FIB机台平行；
利用FIB在TSV结构径向剖面上做标记以确定TSV结构的位置；
倾斜所述待处理样品，使TSV结构径向剖面与所述FIB机台的夹角为钝角；
根据所述标记进行待处理样品的分析区域聚焦，并采用FIB研磨所述待处理样品的分析区域，以形成TSV样品。
2.如权利要求1所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，利用FIB沉积或研磨的方法在TSV结构径向剖面上做标记。
3.如权利要求1所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，所述钝角为130~140度。
4.如权利要求1或3所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，通过对所述待处理样品倾斜50度并旋转-90度的方法来使TSV结构径向剖面与所述FIB机台的夹角为钝角。
5.如权利要求1所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，根据所述标记进行待处理样品的分析区域聚焦后，采用束流为60nA~80nA的FIB研磨所述分析区域。
6.如权利要求1所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，采用FIB研磨以形成TSV样品的步骤包括：
用FIB初步研磨，在所述TSV结构的两侧的分析区域中形成两个洞，所述洞的深度能暴露出所述TSV结构的侧壁；
用FIB在两个洞的底部分别形成开口；
用FIB分别从每个洞中细抛所述TSV结构的侧壁，直到所述TSV结构的厚度达到预定义厚度。
7.如权利要求6所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，所述洞的宽度3~10μm。
8.如权利要求6所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，所述预定义厚度小于0.1μm。
9.如权利要求6所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，所述开口为U型开口。
10.如权利要求1或6所述的TSV样品的制备方法，其特征在于，所述FIB机台还包括聚焦电子束结构，采用FIB研磨以形成TSV样品的过程中，采用聚焦电子束观察TSV样品形貌。
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